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クリシュナ・サラスワットは、米国スタンフォード大学電気工学科の教授です。彼はISI高被引用工学研究者であり[ 1 ]、工学研究の世界トップ250にランクインしています。また、「シリコンプロセス技術への画期的な貢献」によりIEEEのアンドリュー・S・グローブ賞を受賞しています。 [ 2 ] [ 3 ]
サラスワット氏は、1968年にビルラ工科大学ピラニ校（BITS）で電子工学の学士号を取得し、同年スタンフォード大学で電気工学の修士号、1974年に同大学で博士号を取得しました。スタンフォード大学で研究員として勤務した後、1983年に電気工学の教授に任命されました。また、2004年1月からはビルラ工科大学ピラニ校の名誉非常勤教授、2007年夏にはインドのインド工科大学ボンベイ校の客員教授も務めています。現在はスタンフォード大学工学部のリッキー/ニールセン教授であり、材料科学・工学の客員教授も兼任しています。
Saraswatは、シリコンのCVDモデリング、ポリシリコンの伝導、シリサイドの拡散、接触抵抗、相互接続遅延、シリコンの酸化効果の研究に取り組んできました。彼は、業界標準となったアルミニウム/チタン積層相互接続の技術[ 4 ] 、およびタングステン、WSi2、SiGeなどの代替材料を使用したMOSゲートのCVDの先駆者です。
サラスワットは大学院でマイクロ波トランジスタの研究に取り組み、高電圧MOSデバイスと回路に関する論文を執筆した。1980年代後半には、単一ウェハ製造に注力し、そのための装置とシミュレータを開発した。1993年には、テキサス・インスツルメンツと共同で、単一ウェハ製造用のマイクロファクトリーを実証した。[ 5 ] 1990年代半ば以降、サラスワットはMOS技術を10nm以下の領域にスケーリングする技術に取り組み 、異種デバイスの多層構造を持つ3D ICの新しい概念をいくつか開拓した。現在の研究は、ナノエレクトロニクスのさらなるスケーリングに伴いシリコンに代わる新しい材料、特にSiGe、ゲルマニウム、III-V族化合物に焦点を当てている。[ 6 ]
2019年7月現在、クリシュナ・サラスワットは約15件の特許を取得している。[ 7 ]