フアン・カルロス・カンプザーノ

フアン・カルロス・カンプサーノ（1949年7月25日生まれ）は、パラグアイ出身のアメリカ人物 理学者。イリノイ大学シカゴ校の物理学の特別教授。^[1]アルゴンヌ国立研究所の特別研究員^[2]（寄付講座に相当）^{[1]でもあり、2001年の}アメリカ物理学会フェローでもあり、2011年には凝縮系物理学のオリバー・バックリー賞を受賞した。高温超伝導の専門家である。^[1]

カンプザーノは、1972年にウィスコンシン大学ミルウォーキー校で物理学の学士号、1978年に博士号を取得しました。また、リバプール大学とケンブリッジ大学で博士研究員や研究員を務めたこともあります。^[3]研究対象は、金属表面の赤外分光法、高温超伝導体やその他の材料における電子励起など です。

• 1978年、ウィスコンシン大学ミルウォーキー校で物理学の博士号を取得。
• 1972年、ウィスコンシン大学ミルウォーキー校で応用数学と物理学の学士号を取得。

• バックリー賞、2011年^[4]
• ウィスコンシン大学ミルウォーキー校 優秀卒業生賞 2008
• HENAAC優秀技術功績賞、2007年^[5]
• アメリカ物理学会フェロー、2001年。^[6]
• 1999年、アルゴンヌ国立研究所における優れた業績に対してシカゴ大学からメダルを受賞。
• 1985年ケンブリッジ哲学協会会員
• アメリカ真空学会学者、1975年。
• 1974年、イタリア、トリエステの国際理論物理学センター研究員。

• ソーマ、Ｓ．町田裕也；佐藤、T.高橋 哲;松井博司;ワン、S.-C.ディン、H.カミンスキー、A.カンプザーノ、JC。佐々木真司；門脇和也 (2003) 「MgB ₂における複数の超電導ギャップの起源」。自然。423 (6935)。シュプリンガー サイエンス アンド ビジネス メディア LLC: 65–67。土井：10.1038/nature01619. ISSN  0028-0836。PMID  12721624。S2CID 4380957  。
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• Ding, H.; Yokoya, T.; Campuzano, JC; Takahashi, T.; Randeria, M.; Norman, MR; Mochiku, T.; Kadowaki, K.; Giapintzakis, J. (1996). 「低ドープ高 Tc 超伝導体の通常状態における擬ギャップの分光学的証拠」. Nature . 382 (6586). Springer Science and Business Media LLC: 51–54. doi :10.1038/382051a0. ISSN  0028-0836. S2CID  4354355.

• UICのホームページ
• アルゴンヌ国立研究所のホームページ