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ジェームズ・S・ハリス | |
|---|---|
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| 国籍 | アメリカ人 |
| 母校 | スタンフォード大学 |
| 知られている | 分子線エピタキシー（MBE）、ナノ加工技術、マイクロマシニング、高速電子デバイス、オプトエレクトロニクスデバイス、量子輸送および量子計算 |
| 受賞歴 | 2013 アリストテレス賞、セミコンダクター・リサーチ・コーポレーション、2000 IEEE サード・ミレニアム・メダル |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | 電気工学 |
| 博士課程の指導教員 | ジェラルド・L・ピアソン |
ジェームズ・S・ハリスは科学者、技術者であり、IEEE、アメリカ物理学会、アメリカ光学会の会員です。[1]彼の研究は主に光電子デバイスと半導体材料の研究を扱っています。
1982年よりスタンフォード大学で電気工学、応用物理学、材料科学のジェームズ・アンド・エレノア・チェスブロー教授を務めている。[2]
ハリスは、化合物半導体材料のエピタキシャル成長とその応用への貢献により、2011 年に 米国工学アカデミーの会員に選出されました。
教育
ハリスはスタンフォード大学で電気工学の学士号（1964年）、修士号（1965年）、博士号（1969年）を取得しました。[3]
キャリア
1982年にスタンフォード大学の電気工学部に入部する前、ジェームズ・ハリスはロックウェル国際科学センターに勤務し、技術スタッフからオプトエレクトロニクス研究のディレクターまで様々な役職を歴任しました。[4] [5]
研究
ハリスの研究対象は、ヘテロ接合、量子井戸、超格子、ナノ構造材料によって作られる新しい電子および光電子デバイス構造の分野です。彼は過去50年間、新しい半導体材料と原子レベルの次元での成長について研究してきました。[4]
ハリスは、この刊行物（2019年）時点で約37件の特許を取得しています。[6]
受賞歴
- 1988年IEEEフェロー[7]
- 1992年アメリカ物理学会フェロー[8]
- 2005年アメリカ光学会フェロー[9]
- 2000年IEEE第三ミレニアムメダル[10]
- 2000 IEEEモリス・N・リーブマン記念賞[11]
- 2009年 材料研究協会フェロー[12]
- 2011年米国工学アカデミー会員[13]
- 2013年アリストテレス賞、セミコンダクターリサーチコーポレーション[14]
- 2014年アルフレッド・Y・チョーMBE賞、国際MBEカンファレンス[15]
- 2023 IEEE 西沢潤一メダル[16]
参考文献
- ^ 「カタログ」（PDF） . snow.stanford.edu. 2007年. 2021年2月5日閲覧。
- ^ 「より長い経歴」。
- ^ 「ジェームズ・ハリス」スタンフォード大学工学部。2016年4月12日。
- ^ ab 「ジェームズ・ハリスの伝記スケッチ」 。 2021年2月5日閲覧。
- ^ 「より詳しい経歴」ee.stanford.edu .
- ^ 「特許検索 - Justia 特許検索」. patents.justia.com .
- ^ 土井:10.1109/JEDS.2013.2256458
- ^ 「APSフェローアーカイブ」。
- ^ 「2005 フェロー - 賞と助成金 | 光学会」。
- ^ “ミレニアムメダル受賞者”. 2015年9月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年1月11日閲覧。
- ^ 「アーカイブコピー」（PDF）。米国電気電子技術者協会（IEEE） 。 2016年3月3日時点のオリジナル（PDF）からアーカイブ。2011年2月27日閲覧。
{{cite web}}: CS1 maint: アーカイブされたコピーをタイトルとして (リンク) - ^ “2009 MRS Fellows”. 2016年10月26日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年1月11日閲覧。
- ^ 「ジェームズ・S・ハリス博士」.
- ^ 「2013 アリストテレス賞、SRC ウェブサイト」。
- ^ 「アル・チョーMBE賞の過去の受賞者」。
- ^ 「IEEE JUN-ICHI NISHIZAWA MEDAL RECIPIENTS」（PDF）。米国電気電子学会（IEEE） 。 2021年12月16日時点のオリジナル（PDF）よりアーカイブ。 2022年12月25日閲覧。