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| IEEE/RSE ジェームズ・クラーク・マクスウェル賞 | |
|---|---|
| 受賞理由 | 電子工学、電気工学、または関連分野の発展に顕著な影響を与えた画期的な貢献 |
| 国 | |
| 提供者 | 電気電子技術者協会およびエディンバラ王立協会 |
| 初受賞 | 2007 |
| Webサイト | www.ieee.org/about/awards/medals/maxwell.html |
IEEE /RSEジェームズ・クラーク・マクスウェル賞[1]は、 IEEEと英国エディンバラ王立協会が授与する賞です。この賞は、電磁放射の古典理論に根本的な貢献をしたジェームズ・クラーク・マクスウェル(1831-1879)にちなんで名付けられました。この賞は毎年授与され、2006年に設立されました。
この賞は、「電子工学や電気工学、または関連分野の発展に並外れた影響を与えた画期的な貢献」を認め、毎年優れた個人に授与されます。

(1831–1879)
背景
このメダルは2006年にIEEEと英国エディンバラ王立協会が共同で設立したもので、当初の資金提供はウルフソン・マイクロエレクトロニクス社が行いました[要出典]。2014年にウルフソン・エレクトロニクス社がシーラス・ロジック社に買収された後[2] 、このメダルは現在シーラス・ロジック社が支援しています。 [3]受賞者には賞金、金メダル、銅メダルのレプリカ、証明書が贈られます。この賞は1人または2人に授与されます。受賞者の推薦は賞の委員会によって行われ、通常は毎年11月にIEEE理事会で承認されます。[4]
受信者
IEEE/RSEジェームズ・クラーク・マクスウェル賞を受賞した人物は以下の通り: [5]
- 2007:アーウィン M. ジェイコブスとアンドリュー J. ビタビ
- 2008年:ティム・バーナーズ=リー
- 2009:アルベルト・サンジョヴァンニ=ヴィンチェンテッリ
- 2010:アマール・G・ボース
- 2011:マーシャン・エドワード・ホフ
- 2012:ゲルハルト・M・セスラー
- 2013:リチャード・M・ホワイトとリチャード・S・ミュラー
- 2014:デビッド・ニール・ペイン
- 2015:リン・コンウェイ
- 2016:ジェフリー・ヒントン
- 2017年: 受賞なし
- 2018:トーマス・ブリン・ハウグとフィリップ・デュピュイ
- 2019年: デビッド・フリンとデイブ・ジャガー
- 2020年: 受賞なし
- 2021:エヴリン・リン・フー
- 2022: インゴ・ウルフ
- 2023年: MCフランク・チャン
参考文献
- ^ 「IEEE/RSE ジェームズ・クラーク・マクスウェル・メダル、英国エディンバラ王立協会」。
- ^ 「Cirrus Logic、Wolfson Microelectronicsの買収に合意、2014年」。2017年12月1日時点のオリジナルよりアーカイブ。2017年11月19日閲覧。
- ^ 「資金と賞 - IEEE/RSE James Clerk Maxwell Award」。
- ^ 「IEEE/RSE James Clerk Maxwell Medal」. IEEE. 2012年9月6日時点のオリジナルよりアーカイブ。
- ^ 「IEEE/RSE James Clerk Maxwell Medal Recipients」(PDF) IEEE。 2021年12月16日時点のオリジナル(PDF)よりアーカイブ。 2022年2月27日閲覧。
外部リンク
- 公式サイト
