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イオンビーム支援蒸着（IBADまたはIAD）は、イオン注入と同時スパッタリングまたはその他の物理蒸着技術を組み合わせた材料工学技術です。蒸着中にイオンエネルギー、温度、原子種の到着率などのパラメータを個別に制御できるほか、この技術は、基板材料と蒸着膜の間の緩やかな遷移を作成したり、他の技術よりも内部歪みが少ない膜を蒸着したりするのに特に役立ちます。これらの 2 つの特性により、基板との結合がはるかに耐久性の高い膜が得られます。経験から、立方晶窒化ホウ素（c-BN）などの一部の準安定化合物は、蒸着プロセス中にエネルギーイオンを照射した場合にのみ薄膜に形成されることがわかっています。