金型の準備

ダイ準備は、半導体デバイス製造のステップの 1 つで、IC パッケージングと IC テストのためにウェハを準備します。ダイ準備のプロセスは、通常、ウェハのマウントとウェハのダイシングの 2 つのステップで構成されます。

ウェーハマウントは、半導体製造プロセスの一環としてウェーハのダイ準備中に実行されるステップです。このステップでは、ウェーハはリングに取り付けられたプラスチックテープにマウントされます。ウェーハマウントは、ウェーハが個別のダイに切断される直前に実行されます。ウェーハがマウントされている粘着フィルムにより、ウェーハを切断するプロセスは「ダイシング」と呼ばれますが、個々のダイが所定の位置にしっかりと固定されます。

右の写真は、マウントされダイシングされた後の 300 mm ウェハを示しています。青いプラスチックは粘着テープです。ウェハは中央の丸いディスクです。この場合、多数のダイがすでに除去されています。

マイクロエレクトロニクス デバイスの製造において、ダイ カット、ダイシング、またはシンギュレーションは、複数の同一の集積回路を含むウェーハを、それぞれがそれらの回路を 1 つ含む個別のダイに縮小するプロセスです。

この工程では、最大数千の回路を持つウェハーが、それぞれがダイと呼ばれる長方形の断片に切断されます。回路の機能部分の間には、回路を損傷することなく鋸で安全にウェハーを切断できる細い非機能スペースが設けられています。このスペースはスクライブラインまたはソーストリートと呼ばれます。スクライブの幅は非常に狭く、通常約 100  μmです。したがって、ウェハーを断片に切断するには、非常に薄くて正確な鋸が必要です。通常、ダイシングは、ダイヤモンドの先端が付いた水冷式の丸鋸で行われます。

最も一般的に使用されるブレードの構成は、天然ダイヤモンド、またはより一般的には合成ダイヤモンド、またはさまざまな形態のボラゾンの研磨粒子を含む金属または樹脂結合剤です。あるいは、結合剤と粒子を金属成形体にコーティングとして塗布することもできます。ダイヤモンド工具を参照してください。

• ケースリン、ヒューバート（2008）、デジタル集積回路設計、VLSIアーキテクチャからCMOS製造まで、ケンブリッジ大学出版局、セクション11.4。