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デスニウムは、初期の電子工学技術者が、電子と正孔の両方の電荷キャリアの寿命を縮める半導体内のトラップに付けた名前です。これは、半導体効果を理解するために、正孔、電子、ドナー、アクセプタとともに、半導体結晶で考慮しなければならない欠陥の5番目であると考えられています。[1]デスニウムは、正孔と電子の平衡の確立を早めます。[1]この状態は予期されていませんでしたが、バイポーラ接合トランジスタの発明中に、製造機械の汚染によってもたらされた深いトラップ不純物の影響を受けて出現し、半導体の寿命を縮めました。[2]
1950年代初頭の研究により、「デスニウム」は通常銅であることが明らかになりました。[3]
参考文献
- ^ ab ノーベル物理学講演集、1942-1962巻。シンガポール：ワールドサイエンティフィック。1998年、p.347。ISBN 9810234031。
- ^ Cullis, Roger (2007). Patents, Inventions and the Dynamics of Innovation: A Multidisciplinary Study . Cheltenham, UK: Edward Elgar Publishing. p. 272. ISBN 9781845429584。
- ^ Burton, JA et al.ニッケルと銅の不純物がゲルマニウム中の正孔と電子の再結合に及ぼす影響。J. Phys. Chem. 1953, 57, 8, p. 853
- トランジスタエレクトロニクス：不完全性、ユニポーラおよびアナログトランジスタ、Shockley、W.、ベル電話研究所、ニュージャージー州マレーヒル、IRE議事録、巻：40、号：11、pp：1289-1313（1952年11月）doi：10.1109/JRPROC.1952.273954
外部リンク
- http://www.guitarjamdaily.com/index.php/columnists/120-columnists/2105-pedal-insider-junction-capacitance-and-the-miller-effect-in-the-fuzz-face.html [永久リンク切れ ]
- ウィリアム・ショックレー（1956年12月11日）。「ノーベル講演：トランジスタ技術が新たな物理学を呼び起こす」（PDF） 。 2022年12月28日時点のオリジナルよりアーカイブ（PDF） 。