デイヴィッド・アドラー（物理学者）

デビッド・アドラー
生まれる	1935年4月13日 ニューヨーク州ブロンクス
死亡	1987年3月31日（51歳） ( 1987-04-01 ) マサチューセッツ州レキシントン
母校	RPI、ハーバード
科学者としてのキャリア
フィールド	凝縮系物理学
機関	MIT、原子力研究所
博士課程の指導教員	ハーヴェイ・ブルックス

デイビッド・アドラー（1935年4月13日 - 1987年3月31日）は、アメリカの物理学者であり、マサチューセッツ工科大学の教授であった。アドラーは、凝縮物質物理学において、遷移金属酸化物、低移動度材料の電子特性、非晶質材料の輸送現象、金属絶縁体遷移、非晶質半導体の電子欠陥の理解に多大な貢献をした。

特にアドラーは、半導体結晶の精密な原子構造を持たないガラス状物質であるアモルファス半導体の専門家でした。 ^{[1]アドラーが顧問を務めていた}エネルギー変換デバイス社でスタンフォード・オブシンスキーや他の物理学者と協力し、^[2]太陽光発電エネルギー変換、閾値スイッチング、メモリデバイスに関する論文を多数発表しました。彼はまた、そのレビュー記事の「独創性と明快さ」でも有名で、^[3]「科学技術分野で最も明快で優れた文章の一つ」と評されています。^[4]

アドラーはロシア移民の両親のもとブロンクスで生まれ、ブロンクス科学高等学校に通った。その後、 1956年にレンセラー工科大学（RPI）で理学士号を取得し、1964年にハーバード大学で物理学の博士号を取得した。ハーバード大学では、理論物理学に革命を起こしていたジュリアン・シュウィンガー教授の指導の下、量子場の理論に関する博士論文を書き始めた。しかし、院生を無視していると批判されてきたシュウィンガーは^{[5]アドラーの論文草稿を紛失し、アドラーは研究の方向を変え、}ハーヴェイ・ブルックスとともに半導体から金属への遷移の理論で博士号を取得した。

次に、アドラーはイギリスのハーウェルにある原子力研究所(AERE)で研究員として 1 年間勤務しました。その後、1965 年にマサチューセッツ工科大学(MIT) の研究員となり、1975 年に電気工学およびコンピューター サイエンス学部の教授に昇進しました。比較的短いキャリアの中で、アドラーは技術雑誌に約 300 本の論文を発表し、世界中の科学会議で 80 本以上の招待論文を発表しました。

アドラーは、MITの学部生向けの小規模な学際的研究プログラムであるコンコースの開発と運営に重要な役割を果たしました。アドラーは「学部生の最も優れた教師の一人とみなされ」 ^[6]、学部論文プログラムを率いていたため、MITは彼を称えて毎年優秀な学部生論文に贈られるデイビッド・アドラー記念論文賞を設立しました。この賞はその後、電気工学の優れた修士論文に贈られるデイビッド・アドラー記念論文賞に名称が変更されました。

アドラーはアメリカ物理学会のフェローで、同会は彼を称えて毎年、材料物理学の分野でデイビッド・アドラー講演賞を創設した。^[7]彼は、Journal of Non-Crystalline Solidsの地域編集者、 Materials Research Bulletinの副編集者、 Semiconductors & Insulatorsの編集委員を務めた。

アドラーは物理学界では、美味しい食べ物と世界旅行に対する愛情と知識でもよく知られていました。^[8]アドラーは生化学者のアリス・J・アドラーと亡くなるまで29年間結婚生活を送りました。

• 死亡記事、ニューヨークタイムズ、1987 年 4 月 3 日、p. B5.
• 死亡記事、ボストン・グローブ、1987年4月3日、63ページ。Wayback Machineに2016年1月26日にアーカイブ。
• 死亡記事、Tech Talk (MIT)、1987 年 4 月 3 日、p. 1。Wayback Machineで 2021 年 11 月 2 日にアーカイブされました。
• ネビル・モット他「訃報：デイヴィッド・アドラー」『Physics Today』（1988年2月）106ページ。
• マーヴィン・シルバー、「デイビッド・アドラー（1935-1987）」、Journal of Non-Crystalline Solids、第97-98巻、第1部（1987年12月）、p. ix。

• Baryam Y.、Adler D.、Joannopoulos J.、「無秩序系の構造と電子状態」、PHYSICAL REVIEW LETTERS、Vol.57、No.4（1986）、pp.467-70。
• 米国特許第4,379,943号（1983年4月12日）。
• Adler D.、Shur M.、Silver M.、他「カルコゲニドガラス薄膜の閾値スイッチング」、JOURNAL OF APPLIED PHYSICS、Vol.51、No.6 (1980)、pp.3289–309。
• Adler D.、Henisch H.、Mott N.、「アモルファス合金における閾値スイッチングのメカニズム」、REVIEWS OF MODERN PHYSICS、Vol.50、No.2（1978）、pp.209-220。
• Ovshinsky S. & Adler D.、「共有結合性アモルファス半導体の局所構造、結合、電子特性」、CONTEMPORARY PHYSICS、Vol. 19、No. 2 (1978)、pp. 109–26。
• Adler D. & Yoffa E.、「アモルファス半導体の電子構造」、PHYSICAL REVIEW LETTERS、Vol.36、No.20 (1976)、pp.1197–1200。
• Kastner M.、Adler D.、Fritzsche H.、「孤立電子対半導体の局在ギャップ状態の価数交代モデル」、PHYSICAL REVIEW LETTERS、Vol.37、No.22 (1976)、pp.1504-7。
• Adler D.、「遷移金属酸化物および硫化物における金属-非金属遷移のメカニズム」、REVIEWS OF MODERN PHYSICS、第40巻、第4号（1968年）、714ページ以降。
• Adler D. & Brooks, H.、「半導体から金属への遷移の理論」、PHYSICAL REVIEW、Vol. 155、No. 3 (1967)、p. 826 ff.