アントニオ・H・カストロ・ネト

アントニオ・H・カストロ・ネト
2020年1月のカストロ・ネト
生まれる	( 1964-08-20 )1964年8月20日[4] パラナグア、パラナ州、ブラジル
母校	イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校[1]
受賞歴	アメリカ物理学会フェロー（2003年）[1] SKKUナノテクノロジー先端研究所特別客員教授（2012年）[2] アメリカ科学振興協会フェロー（2013年[3] ユトレヒト大学理論物理学クラマース教授職（2015年）
Webサイト	https://graphene.nus.edu.sg/team_member/antonio-castro-neto

アントニオ・エリオ・デ・カストロ・ネトは、しばしば「グラフェンのゴッドファーザー」と呼ばれ、ブラジル生まれの物理学者で、シンガポール国立大学の先端2D材料センター^[5]（旧称グラフェン研究センター^[6] ）の創設者兼所長、および機能的インテリジェント材料研究所（IFIM）の共同所長を務めています。彼は金属、磁石、超伝導体、グラフェン、2次元材料の理論で知られる凝縮系理論家です。彼は、材料科学工学部^[7]と物理学部^[8]の著名な教授であり、電気・コンピュータ工学部の教授でもあります。^[9]彼は、 2003年にアメリカ物理学会のフェローに選出されました。^{[10] 2011年には、}アメリカ科学振興協会のフェローに選出されました。^[11]

1984年、カストロ・ネトはカンピナス州立大学（UNICAMP）に入学した。^[要出典]カンピナスでは、アミール・O・カルデイラの指導の下、物理学の学士号と理学修士号を取得した。1991年に米国に移り、イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校でエドゥアルド・フラドキンの指導の下、博士号を取得した。^{[12] [1]彼の博士論文は、}フェルミ液体の最低エネルギー励起の理解と記述を扱った。^[12]

1994年に卒業後、カリフォルニア大学サンタバーバラ校理論物理学研究所（現カブリ理論物理学研究所）に入所。^{[13]そこでマシュー・フィッシャーの指導の下、ナノ材料と}ナノ構造の電子特性を研究した。1995年にカリフォルニア大学リバーサイド校に助教授として移り、2000年にボストン大学に物理学教授として移った。

カストロ・ネトは、グラフェンの理論的側面について論文を発表しており、例えば、空孔が電子特性に与える影響、^[14]二層グラフェンの電子特性、^[15]超伝導、^[16] ツイストロニクス 、^{[17] [18]}グラフェンのメソスコピック構造におけるクーロンブロッケード、^[19]電荷不純物での原子崩壊、^[20]局在磁気状態、^[21]バイアス二重層におけるギャップ開口、^[22]歪み工学、^[23]不純物誘起スピン軌道効果などである。^[24] 2016年、トムソン・ロイターはカストロ・ネトを物理学の研究者の上位1％の一人として認めた。^[25]彼はまた、 2017年から2019年までクラリベイト・アナリティクスによって認められた。^{[26] [27] [28]}彼の作品は101,602回以上引用されており、h指数は122である。 ^[29]

2008年にシンガポール国立大学に移り、2010年にグラフェンデバイスの合成、特性評価、デバイス製造のための設備を備えたグラフェン研究センター（GRC）を設立しました^{[30] 。 [31]} 2014年にGRCはシンガポール国立研究財団の助成金によって拡張され、グラフェンとそのヘテロ構造以外の2D材料を研究するために^[32]、先端2D材料センターが設立されました^{[33] 。}

カストロ・ネトはシンガポールで2D Materials、MADE Advanced Materials、Graphene Watts、UrbaXの4つの会社を設立しました。^[34]