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2012 年 8 月に Plateau de Bure で撮影された ASTEP プラットフォームの本館。 | |
| 別名 | アステップ |
|---|---|
| 位置 | フランス |
| 座標 | 北緯44°38′02″ 東経5°54′26″ / 北緯44.63394° 東経5.90728° / 44.63394; 5.90728 |
| 高度 | 2,252メートル(7,388フィート) |
| Webサイト | ホームページ |
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高度SEE試験欧州プラットフォーム(ASTEP)は、2004年にエクス・マルセイユ大学、CNRS、STマイクロエレクトロニクス によって設立された常設の山岳研究所および二重学術研究プラットフォームです。IM2NP研究所[1]によって運営されている現在のプラットフォームは、電子部品、回路、システムにおける地表放射線(大気中性子、陽子、ミューオン)によって引き起こされるシングルイベント効果(SEE)の問題に特化しています。フランスアルプスの標高2552mの砂漠、プラトー・ド・ビュール(デヴォリュイ山脈)に位置するこのプラットフォームは、 IRAM天文台[2]によってホストされています。ASTEPは2006年3月から完全に運用されています。[3] [4]
このプラットフォームは、リアルタイムテスト、ソフトエラー特性評価、計測の分野での長期実験を主催しています。ASTEPには、中性子モニター(Plateau de Bure中性子モニター、PdBNM)とミューオンモニター(Plateau de Bure Muon Monitor、PdBM2)も常設されています。Plateau de Bure中性子モニターは、中性子モニターデータベース(NMDB)の国際機器ネットワーク(コードステーション:BURE)に加盟しています[5]
タイムライン
- 2004 年: 電子工学におけるシングル イベント効果 (SEE) とソフト エラー (SE) の問題に特化した常設の山岳研究所のプロジェクトが開始されました。最終的に、Plateau de Bure が ASTEP プラットフォームの常設場所として選ばれました。CNRS と IRAM の間でホスト協定が締結され、Plateau de Bure への ASTEP プラットフォームの設置が正式に承認されました。
- 2005 年: サンテティエンヌ アン デヴォリュイ市は、IRAM 観測所の古い建物「POM2」を全面的に改修し、プラットフォームの科学機器を収容できるようにしました。最初の機器は 2005 年 9 月に現地に設置されました。ASTEP とマルセイユの IM2NP 研究所間の永続的なネットワーク接続がテストされました。同時に、130 nm SRAM メモリの特性評価専用の最初のリアルタイム (寿命テスト) 実験が開始されました。実験セットアップは、12 月にギャップのオート アルプ地方議会で行われた公開会議で発表されました。
- 2006 年: 130 nm SRAM セットアップが 2006 年 3 月に ASTEP にインストールされ、2005 年 4 月 29 日に測定が開始されました。最初の実験測定は、2006 年 9 月 27 ~ 29 日にギリシャのアテネ、グリファダで開催された「放射線とコンポーネントおよびシステムへの影響に関するヨーロッパ ワークショップ (RADECS 2006)」で発表されました。ASTEP プラットフォームは、2005 年 7 月 5 日にサンテティエンヌ アン デヴォリュイとプラトー ド ビュルで正式に開設されました。
- 2007 年: ASTEP ビル (POM2 ビルの古いキューポラ) の 1 階の改修工事が夏期に開始されました。そのため、10 月の雪と悪天候により工事は中断されました。65 nm SRAM メモリのリアルタイム特性評価専用の 2 番目のセットアップの構築が開始されました。
- 2008 年: 1 月に 65 nm セットアップが ASTEP に設置されました。改修作業は 2008 年 5 月末に再開されました。PdBNM (Plateau de Bure Neutron Monitor) は、2008 年 7 月 23 日に ASTEP ビルの 1 階に設置されました。この日以降、この機器は完全に稼働しています。65 nm SRAM に関する最初の結果は、2008 年 9 月にフィンランドのユヴァスキュラで開催された「放射線とそのコンポーネントおよびシステムへの影響に関するヨーロッパ ワークショップ (RADECS 2008)」で発表されました。
- 2009 年: シングル イベント ラッチアップ (SEL) とマイクロ ラッチアップのメカニズムを調査するために、65 nm SRAM に対して高温テスト (85 °C) が実施されました。
- 2010 年: ASTEP プラットフォームとコラボレーション プログラムが、ESREF 2010 の招待講演で発表されました。
- 2011: 7 Gbit を超える 40 nm SRAM を組み込んだ 3 番目のリアルタイム セットアップが設計され、統合されました。セットアップは 3 月に ASTEP にインストールされました。Plateau de Bure 中性子モニターが中性子モニター データベース (NMDB) に加わりました。マルセイユの IM2NP-CNRS 研究所で開発された Plateau de Bure ミューオン モニター (PdBM2) が 7 月/8 月に ASTEP プラットフォームにインストールされました。自然放射線にさらされた 50 Gbit を超える 90 nm NOR フラッシュ メモリに基づく新しいタイプのウェーハ レベル特性評価が開始されました。
- 2012年:40nm SRAM実験に関する最初の結果が、米国カリフォルニア州アナハイムで開催された国際信頼性物理シンポジウム(IRPS 2012)で発表されました。これらの40nm SRAMの熱中性子感度に関する追加の結果は、IEEE NSREC 2012カンファレンスで発表されました。[6] [7]
- 2013年:自然放射線にさらされたフラッシュメモリの特性評価に関する最初の結果が、米国カリフォルニア州モントレーで開催された国際信頼性物理シンポジウム(IRPS 2013)で発表されました。[8]
参考文献
- ^ プロヴァンス・マテリオ・マイクロ電子ナノ科学研究所 (IM2NP)。プレートフォームのテクニック 2013 年 7 月 1 日にWayback Machineにアーカイブされました。 2013 年 5 月 22 日に取得(フランス語)
- ^ Autran, JL 他 (2010)。「先進的 SRAM のリアルタイム ソフト エラー率特性評価」、K. Iniewski (編) 『半導体における放射線の影響』、pp. 225-249。CRC プレス
- ^ Times Higher Education Supplement (2006年7月11日)。「大気中中性子が航空機のマイクロエレクトロニクス回路に与える影響を調べるために開発されたテスト」。2013年5月22日閲覧。
- ^ 吉田順子 (2006 年 9 月 25 日)。「アルパイン研究所がソフトエラーテストの希少な領域に進出」。EE Times。2013年 5 月 22 日閲覧。
- ^ 中性子モニターデータベース。フランス、ニューメキシコ州プラトー・ド・ビュール(BURE)。2013年5月22日閲覧。
- ^ JL Autran 他、「40nm SRAM のリアルタイム ソフトエラー テスト」、IEEE 国際信頼性物理シンポジウム、2012 年 4 月、3C-5。
- ^ JL Autran 他、「40 nm SRAM における熱中性子と低エネルギー中性子によるソフトエラー率」、IEEE Transactions on Nuclear Science、2012 年、第 59 巻、第 6 号、2658 - 2665 ページ。
- ^ G. Just 他、「フローティングゲートフラッシュメモリのグラウンドレベルでの自然放射線によるソフトエラー」、IEEE 国際信頼性物理シンポジウム、2013 年 4 月、3D-4。
その他の情報源
- JL Autran 他「Altitude SEE Test European Platform (ASTEP) と CMOS 130nm SRAM の最初の結果」、IEEE Transactions on Nuclear Science、2007 年、第 54 巻、第 4 号、1002-1009 ページ。
- JL Autran 他「CMOS 130nm SRAM のリアルタイム中性子およびアルファ ソフト エラー率テスト: 高度と地下での測定」、IC 設計およびテクノロジーに関する国際会議、2008 年 5 月。
- JL Autran 他「CMOS 65nm SRAM の高度および地下でのリアルタイム SER 特性評価」IEEE Transactions on Nuclear Science、2009 年、第 56 巻、第 4 号、p. 2258-2266。
- JL Autran 他「地上レベルの先進メモリ回路における地上中性子と自然アルファ粒子放出体によるソフトエラー」、Microelectronics Reliability、2010 年、第 50 巻、p. 1822-1831。
- JL Autran & JL Leray、Dossier thématique「Effets des Radiations Naturelles sur l'électronique au niveau atmosphérique et terrestre」、Revue de l'Electricité et de l'Electronique、Mars 2010。
- S. Semikh 他「Plateau de Bure 中性子モニター: 設計、操作、モンテカルロシミュレーション」、IEEE Transactions on Nuclear Science、2012 年、第 59 巻、第 2 号、303 ~ 313 ページ。
- JL Autran 他「高度な SRAM メモリのソフト エラー率: モデリングとモンテ カルロ シミュレーション」『数値シミュレーション - 理論から業界へ』、Mykhaylo Andriychuk 博士 (編)、ISBN 978-953-51-0749-1、InTech、2012 年。
