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インジウムガリウムアルミニウム窒化物（InGaAlN、AlInGaN）は、GaNベースの化合物半導体です。通常、有機金属化学気相成長法（MOCVD）、分子線エピタキシー法（MBE）、パルスレーザー堆積法（PLD）などのエピタキシャル成長によって製造されます。 [要出典]この材料は、青色レーザーダイオードやLEDなどの専門的なオプトエレクトロニクス用途に使用されます。
参照
参考文献
インジウムガリウムアルミニウム窒化物（InGaAlN、AlInGaN）は、GaNベースの化合物半導体です。通常、有機金属化学気相成長法（MOCVD）、分子線エピタキシー法（MBE）、パルスレーザー堆積法（PLD）などのエピタキシャル成長によって製造されます。 [要出典]この材料は、青色レーザーダイオードやLEDなどの専門的なオプトエレクトロニクス用途に使用されます。