28nmプロセス

「28 nm」リソグラフィプロセスは、 「32 nm」リソグラフィプロセスのダイシュリンクに基づいたハーフノード半導体製造プロセスです。^{[ 1 ]} 2010年に生産が開始されました。^{[ 2 ]}

少なくとも1997年以降、「プロセスノード」は純粋にマーケティング上の理由で命名されており、集積回路の寸法とは直接関係がありません。^{[ 3 ]}「28 nm」デバイスのゲート長、メタルピッチ、ゲートピッチのいずれも 28ナノメートルではありません。^{[ 4 ] [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ]}

台湾積体電路製造（TSMC）は、高誘電率金属ゲートプロセス技術を用いた「 28nm」製造を提供している。^{[ 8 ]}

GlobalFoundriesは、高誘電率金属ゲート技術を使用した 「28SLPe」（「28 nm超低消費電力」）ファウンドリプロセスと呼ばれる「28 nm」ファウンドリプロセスを提供しています。 ^{[ 9 ]} 

ソフィー・ウィルソンによる2016年のプレゼンテーションによると、28nm はロジックゲートあたりのコストが最も低い。ゲートあたりのコストは、プロセスが縮小するにつれて28nmに達するまで減少し 、それ以降は徐々に上昇している。^{[ 10 ]}

「28 nm」は、「80 nm」 に比べて製造における信頼性を確保するための設計ルールが2倍必要となる。 ^{[ 11 ]} 

AMDのRadeon HD 7970は、「28 nm」プロセスで製造されたグラフィックス処理ユニットを使用しています 。^{[ 12 ]}

PS3の一部のモデルは、「28nm 」プロセスを使用して製造されたRSX「リアリティシンセサイザー」チップを使用しています。 ^{[ 13 ]} 

「28 nm」プロセス技術で製造されたFPGAに は、Xilinx Artix 7 FPGAやAltera Cyclone V FPGAのモデルが含まれます。^{[ 14 ]}