トンネル注入

トンネル注入は電界電子放出効果であり、具体的にはファウラー・ノルドハイム・トンネル効果と呼ばれる量子過程であり、電荷キャリアが薄い電気絶縁体層を通して電気導体に注入される。^[1]

これは、NANDフラッシュメモリのプログラムに使用されます。消去に使用されるプロセスは、トンネル解放と呼ばれます。この注入は、MOSFET のゲートと本体の間に大きな電圧差を作成することによって実現されます。V _{GB >> 0 の場合、電子はフローティングゲートに注入されます。V}_GB << 0の場合、電子はフローティングゲートから押し出されます。

トンネル注入の代替として、スピン注入があります。

参照

ホットキャリア注入

参考文献

^ Lorke, Michael; Khanonkin, Igor; Michael, Stephan; Reithmaier, Johann Peter; Eisenstein, Gadi; Jahnke, Frank (2022-09-05). 「量子ドットトンネル注入構造におけるキャリアダイナミクス：微視的理論と実験」.応用物理学レター. 121 (10): 103503. arXiv : 2205.15715 . doi :10.1063/5.0101613. ISSN 0003-6951.

[1] Lorke, Michael; Khanonkin, Igor; Michael, Stephan; Reithmaier, Johann Peter; Eisenstein, Gadi; Jahnke, Frank (2022-09-05). 「量子ドットトンネル注入構造におけるキャリアダイナミクス：微視的理論と実験」.応用物理学レター. 121 (10): 103503. arXiv : 2205.15715 . doi :10.1063/5.0101613. ISSN 0003-6951.