インテルテラヘルツ

Intel TeraHertz は、Intelの新しいトランジスタ設計です。このトランジスタは、電流漏れを低減する優れた絶縁体である二酸化ジルコニウムなどの新しい材料を使用しています。二酸化シリコンの代わりに二酸化ジルコニウムを使用することで、このトランジスタは電流漏れを低減し、より高速で動作し、より低い電圧を使用しながら消費電力を削減できます。

この構造の要素の 1 つは「空乏型基板トランジスタ」です。これは CMOS デバイスの一種で、トランジスタは埋め込み絶縁層の上にある極薄シリコン層に組み込まれています。この極薄シリコン層は完全に空乏化されているため、トランジスタがオンになったときに駆動電流が最大になり、トランジスタのオン/オフの切り替えが高速になります。

対照的に、トランジスタがオフのときは、薄い絶縁層によって不要な電流リークが最小限に抑えられます。これにより、空乏基板トランジスタのリークは、従来のシリコン オン インシュレータ方式の 100 倍少なくなります。Intel の空乏基板トランジスタのもう 1 つの革新は、シリコン層の上に低抵抗コンタクトを使用していることです。そのため、トランジスタは非常に小型で、非常に高速で、消費電力も少なくなります。

もう 1 つの重要な要素は、ウェハ上の二酸化シリコンに代わる新しい材料の開発です。すべてのトランジスタには「ゲート誘電体」があります。これは、トランジスタの「ゲート」をアクティブ領域 (ゲートはトランジスタのオン/オフ状態を制御します) から分離する材料です。

インテルによれば、新しい設計では0.6ボルトしか使用できないという。インテルテラヘルツは2001年に発表された。2024年現在^{[アップデート]}、プロセッサでは使用されていない。

• シリコンオンインシュレータ

• インテルのテラヘルツトランジスタが速度限界を突破（2001年11月）[1]
• インテルがチップトランジスタ設計の画期的な進歩を発表 Archived 2012-03-14 at the Wayback Machine (2006年5月)[2] Archived 2012-03-14 at the Wayback Machine