ジークフリート・ゼルベルヘル

ジークフリート・ゼルバーヘル（* 1955年8月3日、クロスターノイブルク生まれ）は、オーストリアのマイクロエレクトロニクス分野の科学者です。ウィーン工科大学マイクロエレクトロニクス研究所^[1]の教授です。主な研究対象は、マイクロエレクトロニクス分野における物理現象のモデリングとシミュレーションです。

ジークフリート・セルバーヘル氏は、1988年よりウィーン工科大学のマイクロエレクトロニクスシステムのソフトウェア技術の教授を務めています。同氏はウィーン工科大学で電気工学を学び、1978年にディプロム・インジェニアの学位を、1981年に技術科学の博士号を、 1984年にハビリテーションを取得しました。その後、しばらくの間ベル研究所の客員研究員を務めました。1996年から2020年の間、セルバーヘル教授はIEEE電子デバイス協会の特別講師を務めました。長年にわたり、セルバーヘル教授はウィーン工科大学のマイクロエレクトロニクス研究所のリーダーを務めました（現在、この研究所は同教授の若い同僚であるティボール・グラッサー氏が所長を務めています）。1998年から2005年まで、同氏は電気工学および情報技術学部の学部長を務めました。^{[2]さらに、2001年から2018年まで}ams AGの監査役会メンバーおよび副会長を務め、それ以来、取締役会の科学顧問を務めています。2004年以来、彼は大学間農業バイオテクノロジー部門（ IFA-Tulln ）の諮問委員会のメンバーです。

セルバーヘル教授は、科学者としてのキャリアにおいて、研究チームとともに、これまでに 400 本以上の学術雑誌論文と 1,200 本以上の会議論文集を発表しており、そのうち 250 本以上は招待講演です。さらに、3 冊の本を出版し、40 冊以上の書籍を共同編集し、これまでに 100 本以上の博士論文を指導してきました。

セルバーヘル教授は研究活動の中で、電荷キャリアの移動度モデルを実装した「金属酸化物半導体」デバイス用シミュレータ（MINIMOS）を開発しました。このシミュレータは、教授にちなんで名付けられました。さらに、オーストリア科学基金（FWF）、クリスチャン・ドップラー研究協会（CDG ^[3]）、欧州研究会議（ERC）などの有名な半導体企業や資金提供機関と共同で、数多くの研究プロジェクトを監督しました。

（選択）

• 2021年：アジア太平洋人工知能協会（AAIA）のフェロー^[4]
• 2021年：IEEE電気電子技術者協会終身フェロー
• 2018年: IEEE クレド・ブルネッティ賞
• 2015年：ディンホーファー研究所の「フランツ・ディンホーファー・メダル」
• 2014年：マリン・ドリノフ、ブルガリア科学アカデミーより勲章を授与される^[5]
• 2013年：アカデミア・ヨーロッパ正会員
• 2011年：ニーダーエスターライヒ州功労勲章銀十字章受章
• 2009年: ERCの「先進的助成金」^[6]
• 2006年：ニシュ大学名誉博士号
• 2005年：オーストリア共和国への貢献により大勲位^[7]
• 2004年:欧州科学芸術アカデミー正会員
• 2001年：オーストリア科学アカデミー「エルヴィン・シュレーディンガー賞」
• 1994年：オーストリア中小企業協会（ÖGV）より「ヴィルヘルム・エクスナー賞」を受賞。 ^{[8] [9]}
• 1993年:電気電子技術者協会（IEEE）フェロー
• 1986年:オーストリアコンピュータ協会(ÖCG)の「ハインツ・ゼマネク賞」 ^[10]
• 1983年：『Dr.ウィーン工科大学の「エルンスト・フェーラー賞」

（選択）

• L. Filipovic、S. Selberherr。半導体金属酸化物ガスセンサーの熱電気機械シミュレーション。、Materials、Vol.12、No.15 pp. 2410-1–2410-37、2019、doi :10.3390/ma12152410。
• V. Sverdlov、S. Selberherr。シリコンスピントロニクス：進歩と課題。Physics Reports 、 Vol.585、pp. 1–40、2015、doi :10.1016/j.physrep.2015.05.002。
• H. Ceric、S. Selberherr。集積回路のサブミクロン相互接続機能におけるエレクトロマイグレーション。Materials Science and Engineering R、Vol.71、pp. 53–86、2011、doi :10.1016/j.mser.2010.09.001。
• V. Sverdlov、E. Ungersboeck、H. Kosina、S. Selberherr。ナノスケール半導体デバイスの電流輸送モデル。Materials Science and Engineering R、Vol.58、No.6-7、pp. 228–270、2008、doi :10.1016/j.mser.2007.11.001。
• T. Grasser、T.-W. Tang、H. Kosina、S. Selberherr。半導体デバイスシミュレーションのための流体力学およびエネルギー輸送モデルのレビュー。IEEE Proceedings 、 Vol.91、No.2、pp. 251–274、2003、doi :10.1109/JPROC.2002.808150。
• S. Selberherr、A. Schütz、H. Pötzl。MINIMOS – 2次元MOSトランジスタアナライザー。IEEE Trans.Electron Devices、Vol.ED-27、No.8、pp. 1540–1550、1980、doi :10.1109/T-ED.1980.20068。

• M. Nedjalkov、I. Dimov、S. Selberherr。マイクロおよびナノ構造における電子輸送への確率的アプローチ、Birkhäuser、バーゼル、ISBN 978-3-030-67916-3、214ページ、2021年、doi：10.1007/978-3-030-67917-0。 
• R.クリマ、S.セルバーヘル。Programmieren in C、3. Auflage、Springer-Verlag、Wien-New York、ISBN 978-3-7091-0392-0、366ページ、2010、doi :10.1007/978-3-7091-0393-7。 
• JW Swart、S. Selberherr、AA Susin、JA Diniz、N. Morimoto。(編) Microelectronics Technology and Devices、The Electrochemical Society、ISBN 978-1-56677-646-2、661ページ、2008 年。 
• T. グラッサー、S. セルバーハー。 (編集) Simulation of Semiconductor Processes and Devices、Springer-Verlag、Wien-New York、ISBN 978-3-211-72860-4、460ページ、2007、doi :10.1007/978-3-211-72861-1。 
• F. ファッシング、S. ハラマ、S. セルバーハー。 (編) Technology CAD Systems、Springer-Verlag、ウィーン-ニューヨーク、ISBN 978-3-7091-9317-4、309ページ、1993 年、doi :10.1007/978-3-7091-9315-0。 
• S.セルバーヘル。『Analytics and Simulation of Semiconductor Devices』、Springer-Verlag、Wien-New York、ISBN 978-3-7091-8754-8、294ページ、1984 年、doi :10.1007/978-3-7091-8752-4。 

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