ラッセル・デュピュイ

ラッセル・ディーン・デュピュイ（1947年7月9日生まれ）は、アメリカの電気技師であり物理学者である。

彼はジョージア工科大学の電気・コンピュータ工学部でスティーブ・W・チャディック記念電気光学講座教授を務めている。彼は有機金属化学気相成長法（ MOCVD）と連続波室温量子井戸レーザーに先駆的な貢献をしてきた。 ^{[ 1 ]}彼の他の研究はIII-Vヘテロ接合デバイスとLEDに焦点を当てている。

デュピュイは、有機金属化学気相成長法における先駆的な研究とヘテロ構造デバイスの実証により、1989年に米国工学アカデミーの会員に選出された。

デュピュイは、イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校で電気工学の学士号（1970年）、修士号（1971年）、博士号（1972年）を取得した。^{[ 1 ]}

デュピュイ教授は、1973年から1975年までテキサス・インスツルメンツに勤務しました。1975年にロックウェル・インターナショナルに入社し、P.ダン・ダプカスと共に、MOCVD法を用いて高品質の半導体薄膜やレーザーなどのデバイスを成長させることに初めて成功しました。その後、1979年にニュージャージー州マレーヒルのAT&Tベル研究所に移り、ラルフ・ログン、CJ・ピンゾーン、ヤン・ファン・デル・ジールと共に、室温で連続波動作が可能なシリコン基板上へのGaAsレーザーの直接成長に初めて成功しました。さらに、MOCVD法によるInP-InGaAsPの成長にも取り組み、波長1.55マイクロメートルで動作する初の長波長VCSELを実現しました。1989年に大学に移り、ベン・G・ストリートマンが設立したテキサス大学オースティン校マイクロエレクトロニクスセンターの教授に就任しました。

ジョージア研究同盟の著名な学者であるデュピュイは、同僚2名とともに、LEDの開発と商業化に関する功績により、2002年にジョージ・W・ブッシュ大統領から国家技術勲章を授与された。^{[ 2 ]}彼は1985年にIEEEモリス・N・リープマン記念賞を受賞した。2015年には、デュピュイと他の4名が米国工学アカデミーからチャールズ・スターク・ドレイパー工学賞を共同受賞した。^{[ 3 ]}彼は米国工学アカデミーの会員であり、IEEE、米国物理学会、米国科学振興協会、米国光学会のフェローでもある。

ラッセル・D・デュピュイは、2004年にジョン・バーディーン賞^{[ 4 ]}、2007年にIEEEエジソンメダル^{[ 1 ] [ 5 ]}を受賞した。 2025年には「材料科学と生産」の分野で日本国際賞を受賞した^{[ 6 ] 。}

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