ロバート・J・ミアーズ

ロバート・J・ミアーズ
ロバート・J・ミアーズ
生まれる	イングランド
職業	物理学者およびエンジニア
知られている	EDFA を発明し、Atomera を設立。
注目すべき作品	EDFA、ミアーズ・シリコン・テクノロジー

ロバート・J・ミアーズはイギリスの物理学者、エンジニアです。1980年代、ミアーズ博士はアレック・ギャンブリングとデビッド・ペインが率いるオプトエレクトロニクス研究グループのメンバーの協力を得て、エルビウム添加光ファイバー増幅器（EDFA）を発明し、実証しました。^[1] 2001年にアトメラを設立し、最高技術責任者として、半導体デバイスの移動度やその他の特性を改善する方法であるミアーズ・シリコン・テクノロジー（MST）の発明と開発を主導しました。ミアーズは250を超える出版物と特許を執筆または共著しており、46件の米国特許の共同発明者でもあります。^[2]ケンブリッジ大学ペンブルック・カレッジの名誉研究員です。

教育

ミアーズはオックスフォード大学で物理学の学士号(1982年)、修士号(1986年)を取得。1982年、博士号取得のためサウサンプトン大学へ移り、そこで最初のEDFAとさまざまなファイバーレーザーを考案し、実証した。^[3] ミアーズは1987年に「希土類添加ファイバーレーザーと増幅器の開発」と題する論文で博士号を授与された。1987年5月、ケンブリッジ大学ペンブルック・カレッジのモーズレイ研究員に選出され、翌年ケンブリッジ大学工学部の教授に選出され、後にフォトニクスの講師に任命された。^[4] 2001年にAtomera(旧称ミアーズ・テクノロジーズ)を設立。現在もケンブリッジ大学ペンブルック・カレッジの名誉研究員である。^[5]

EDFA

1986年と1987年に、ミアーズは電気技術者協会（IEE）のジャーナル「Electronics Letters」^[6]^[7]に「1.55μmで動作する低閾値チューナブルCWおよびQスイッチファイバーレーザー」と「1.54μmでの低ノイズエルビウムドープファイバーアンプ」と題する2つの論文を共同執筆しました。これら2つの論文は、エルビウムドープシングルモードファイバーとEDFA（エルビウムドープファイバーアンプ）のゲインに関する最初の論文です。ミアーズ博士は、1986年のIEE Electronics Letters Premiumの共同受賞者でした。これらの研究が発表される前に、ファイバーとレーザーおよびアンプの製造に関する特許が英国と米国で申請されました。^[8]特許、発明、およびイノベーションのダイナミクス：学際的研究という本では、ミアーズ博士の発明は「画期的な発明」と評されています。^[要出典]

アトメラ

2001年、ミアーズは半導体企業ミアーズ・テクノロジーズ（後にアトメラに改名）を設立した。同社は製造工程を縮小することなくシリコントランジスタの効率を高める方法であるMSTプラットフォームを開発した。^[9] これはチャネル層のシリコンエピタキシー中に酸素層を挿入することで実現される。

さらに読む

光増幅器

参考文献

^ 「ORCの人々」ORC 。 2016年11月30日閲覧。
^ 「発明家ロバート・J・ミアーズ」Google . 2016年11月30日閲覧。
^ 「プロフィール」。Bloomberg.com 。 2016年11月30日閲覧。
^ 「Scientific Imaging Group」.ケンブリッジ大学.
^ 「Emeritus Fellows」ペンブルック・カレッジ。 2016年11月30日閲覧。
^ Xu, N.; Damrongplasit, N.; Takeuchi, H.; Stephenson, RJ; Cody, NW; Yiptong, A.; Huang, X.; Hytha, M.; Mears, RJ; Liu, TJK (2012 年 12 月 1 日)。「酸素層の挿入による MOSFET のパフォーマンスとスケーラビリティの向上」。2012 International Electron Devices Meeting。pp . 6.4.1–6.4.4。doi : 10.1109 / IEDM.2012.6478990。ISBN 978-1-4673-4871-3。 {{cite book}}:|website=無視されました (ヘルプ)
^ Mears, RJ; Xu, N.; Damrongplasit, N.; Takeuchi, H.; Stephenson, RJ; Cody, NW; Yiptong, A.; Huang, X.; Hytha, M.; King-Liu, TJ (2012 年 6 月 1 日)。「Si MOSFET における酸素の部分的単分子層の挿入による同時キャリア輸送強化と変動性低減」。2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)。pp. 1– 2。doi : 10.1109 / SNW.2012.6243326。ISBN 978-1-4673-0997-4。
^ Mears, Robert J.; Reekie, Laurence; Poole, Simon B.; Payne, David N. (1990). 「光ファイバーレーザーと増幅器」。Google 。 2016年11月30日閲覧。
^ 「Atomera Incorporated、600万ドルの転換社債発行の完了を発表」。Liquid Venture。2016年4月11日。 2016年11月30日閲覧。

[1] 「ORCの人々」ORC 。 2016年11月30日閲覧。

[2] 「発明家ロバート・J・ミアーズ」Google . 2016年11月30日閲覧。

[3] 「プロフィール」。Bloomberg.com 。 2016年11月30日閲覧。

[4] 「Scientific Imaging Group」.ケンブリッジ大学.

[5] 「Emeritus Fellows」ペンブルック・カレッジ。 2016年11月30日閲覧。

[6] Xu, N.; Damrongplasit, N.; Takeuchi, H.; Stephenson, RJ; Cody, NW; Yiptong, A.; Huang, X.; Hytha, M.; Mears, RJ; Liu, TJK (2012 年 12 月 1 日)。「酸素層の挿入による MOSFET のパフォーマンスとスケーラビリティの向上」。2012 International Electron Devices Meeting。pp . 6.4.1–6.4.4。doi : 10.1109 / IEDM.2012.6478990。ISBN 978-1-4673-4871-3。 {{cite book}}:|website=無視されました (ヘルプ)

[7] Mears, RJ; Xu, N.; Damrongplasit, N.; Takeuchi, H.; Stephenson, RJ; Cody, NW; Yiptong, A.; Huang, X.; Hytha, M.; King-Liu, TJ (2012 年 6 月 1 日)。「Si MOSFET における酸素の部分的単分子層の挿入による同時キャリア輸送強化と変動性低減」。2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)。pp. 1– 2。doi : 10.1109 / SNW.2012.6243326。ISBN 978-1-4673-0997-4。

[8] Mears, Robert J.; Reekie, Laurence; Poole, Simon B.; Payne, David N. (1990). 「光ファイバーレーザーと増幅器」。Google 。 2016年11月30日閲覧。

[9] 「Atomera Incorporated、600万ドルの転換社債発行の完了を発表」。Liquid Venture。2016年4月11日。 2016年11月30日閲覧。