ポリヒューズ（PROM）

ポリヒューズは、半導体回路でチップ識別番号やメモリ修復データなどの固有データを格納するために使用されるワンタイムプログラマブルメモリコンポーネントですが、通常は、読み取り専用メモリデバイスまたはマイクロコントローラチップの小規模から中規模の生産に使用されます。また、プログラマブルアレイロジックのプログラミングを可能にするためにも使用されました。ヒューズを使用すると、デバイスが製造され、パッケージに密封された後、しばらくしてから電気的にプログラムできます。以前のヒューズは、メモリの製造時にレーザーを使用して溶断する必要がありました。ポリヒューズは、以前のニッケルクロム (ni-chrome) ヒューズを置き換えるために開発されました。ni-chrome にはニッケルが含まれているため、一度溶断した ni-chrome ヒューズは再び成長してメモリが使用できなくなる傾向がありました。

最初のポリヒューズはポリシリコン ラインで構成されており、デバイス全体に高電圧(10V ～ 15V) を印加することでプログラムされました。結果として生じる電流によってデバイスが物理的に変化し、電気抵抗が増加します。この抵抗の変化は検出され、論理ゼロとして記録されます。プログラムされていないポリヒューズは、論理 1 として記録されます。これらの初期のデバイスには、プログラミング電圧が高いことや、プログラムされたデバイスの信頼性が低いことなど、重大な欠点がありました。

現代のポリヒューズはシリサイド化されたポリシリコンラインで構成されており、これもデバイス全体に電圧を印加することでプログラムされます。この場合も、結果として生じる電流によって抵抗が永久的に変化します。ポリシリコンラインを覆うシリサイド層により抵抗が低減されるため (プログラミング前)、はるかに低いプログラミング電圧 (1.8V～3.3V) を使用できます。ポリヒューズはプログラムされたデータを確実に保存し、高速でプログラムできることが実証されています。100ns のプログラミング速度が報告されています。^[1]

• プログラム可能な読み取り専用メモリ