レナード・フェルドマン

レナード・セシル・フェルドマン（1939年6月8日、ニューヨーク市生まれ）は、アメリカの材料物理学者です。

1961年にドリュー大学で学士号を取得し、 1967年にラトガース大学で博士号を取得。その後AT&Tベル研究所に入社し、半導体材料物理学に取り組んだ。1996年にヴァンダービルト大学のスティーブンソン物理学教授およびオークリッジ国立研究所の特別客員科学者に就任した。^{[1] [2]}

彼の研究は、固体の研究と改質のためのイオンビームの使用に焦点を当てており、主に半導体である固体の表面構造を単層レベルで研究しています。彼の現在の関心は、ナノ構造と有機材料に対するイオンビームの効果に関するものです。

彼は2016年に「MOS技術の半導体-誘電体界面への貢献」により電気電子学会（IEEE）フェローに任命された。 ^[3]