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低電圧相補型金属酸化膜半導体( LVCMOS ) は、 CMOSテクノロジのデジタル集積回路の低電圧クラスです。
概要
半導体メーカーは、パフォーマンスの向上とコスト削減を実現するために、集積回路のデバイス形状を縮小しています。縮小するたびに、トランジスタの基本的な動作特性を維持するために、関連する動作電圧も下げる必要があります。半導体技術が進歩するにつれて、 5ボルト未満のデジタル ロジック レベル向けに、合同電子デバイス技術評議会( JEDEC ) によって電圧を下げるための LVCMOS 電源電圧とインターフェイス標準が定義されています。
参考文献
- ^ 「JEDEC 規格 JESD8C.01 — 非終端デジタル集積回路の 3.3V (通常範囲) 電源電圧のインターフェース規格」(PDF) JEDEC 2007年 9 月2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD8-5A.01 — 非終端デジタル集積回路の 2.5V (通常範囲) 電源電圧のインターフェース規格」(PDF) JEDEC 2007年 9 月2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD80 — 2.5V CMOS ロジックデバイスの説明に関する規格」(PDF)。JEDEC 。1999年 11 月。2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD8-7A — 非終端デジタル集積回路の 1.8V (通常範囲) 電源電圧のインターフェース規格」(PDF) JEDEC 2007年 9 月2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD76 — 1.8V CMOS ロジックデバイスの説明に関する規格」(PDF)。JEDEC 。2000年 4 月。2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD8-11A.01 — 非終端デジタル集積回路の 1.5V (通常範囲) 電源電圧のインターフェース規格」(PDF) JEDEC 2007年 9 月2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD76-3 — 1.5V CMOS ロジックデバイスの説明に関する規格」(PDF)。JEDEC 。2001年 8 月。2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD8-12A.01 — 非終端デジタル集積回路の 1.2V (通常範囲) 電源電圧のインターフェース規格」(PDF)。JEDEC 。2007年 9 月。2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD76-2 — 1.2V CMOS ロジックデバイスの説明に関する規格」(PDF)。JEDEC 。2001年 6 月。2019 年3 月 5 日閲覧。
- ^ 「JEDEC 規格 JESD8-14A.01 — 非終端デジタル集積回路の 1.0V (通常範囲) 電源電圧のインターフェース規格」(PDF) JEDEC 2007年 9 月2019 年3 月 5 日閲覧。
