ジェリー・G・フォッサム

ジェリー・G・フォッサム
ジェリー・G・フォッサム
生まれる	1943年7月18日（81歳）; 米国アリゾナ州フェニックス
学歴
教育	アリゾナ大学(学士、修士、博士)
学術研究
規律	電気工学
サブ分野	半導体デバイス理論; 半導体デバイスモデリング; 集積回路設計
機関	サンディア国立研究所; フロリダ大学

ジェリー・G・フォッサム（1943年7月18日生まれ）は、アメリカの電気技師であり、フロリダ大学工学部の名誉教授である。

幼少期と教育

フォッサム氏はアリゾナ州フェニックス出身で、アリゾナ大学で電気工学の理学士号、理学修士号、博士号を取得しました。

フォッサムは1978年にフロリダ大学の教授に加わる前はサンディア国立研究所に勤務していた。 1983年にIEEEのフェローに選出された。^[1]フォッサムは2004年にJJエバーズ賞を受賞した。 ^[2]彼の研究は半導体デバイスの理論、モデリング、設計に焦点を当てている。^[3]

^ Huang, Ya-Chi; Chiang, Meng-Hsueh; Wang, Shui-Jinn; Fossum, Jerry G. (2017 年 3 月)。「5nm Si ベース CMOS テクノロジーノードにおける GAAFET と実用的な FinFET」。IEEE Journal of the Electron Devices Society。5 (3): 164–169。doi : 10.1109/JEDS.2017.2689738。
^ 「EDS Honors SOI Pioneer」SOI Industry Consortium、2005年4月18日。 2022年2月22日閲覧。
^ 「Jerry G. Fossum 講演者プロフィール」(PDF) . cmu.edu .