江紅星

Hongxing Jiang（中国語：江紅星）は、ワイドバンドギャップ半導体とフォトニックデバイスの分野で活動する中国系アメリカ人の物理学者およびエンジニアです。彼はMicroLEDの最初の発明者です。 2000年、カンザス州立大学（KSU）のHongxing JiangとJingyu Lin（中国語：林景瑜）が率いる研究チームは、最初のMicroLEDとパッシブ駆動MicroLEDマイクロディスプレイの動作を実現しました。^{[1] [2] [3] [4] [5] [6]} 2009年、彼とIII-N Technology、Inc。（3N）およびテキサス工科大学（TTU）の彼の同僚は、MicroLEDアレイとCMOSアクティブマトリックスドライバーの異種統合により、 VGA形式（640 x 480ピクセル）で初のアクティブ駆動高解像度およびビデオ対応microLEDマイクロディスプレイの特許を取得し、実現しました^[7]。^{[8] [9] [10] [11] [12]}

2002年に彼らのチームが開発したミニLEDアレイとマイクロLEDアレイをオンチップに統合したシングルチップ高電圧DC/AC LEDは、一般的な固体照明や自動車のヘッドライト向けに広く商品化されている。^{[13] [14] [15] [16] [17]}

DARPA-MTOのSUVOS、^[18] CMUVT、^[19] DUVAP、^[20] VIGIL ^[21]プログラムの支援を受けて、研究チームは米国におけるIII族窒化物深紫外線エミッターと検出器、およびInGaNエネルギーデバイス^{[22] [23] [24]}の初期開発に貢献してきました。これには、超ワイドバンドギャップ（UWBG）半導体材料の特性評価を目的とした初の深紫外線ピコ秒時間分解分光システム（195 nmまで）の開発、^[25] AlリッチAlGaN深紫外線エミッターが横磁気（TM）モードで光を発するという初の予測と確認、^{[26] [27]}初のUV/青色フォトニック結晶LED（PC-LED）の実証、^{[28] [29]}および超高比検出能を備えたAlN深紫外線アバランシェ検出器が含まれます。^[30] 彼のチームはまた、AlN中のMgアクセプタのエネルギーレベルを光学的^[31]および電気的^[32]に決定し、AlリッチAlGaNにおける伝導率制御を実証した最初の研究チームの1つである。^{[33] [34] [35] [36]} ARPA-E の支援を受けて、彼らの研究チームは、大面積のウェーハで六方晶窒化ホウ素（h-BN）UWBG半導体の厚いエピタキシャル膜（または準バルク結晶）を製造するための結晶成長技術を開発し、記録的な検出効率を持つh-BN熱中性子検出器を実現した。^{[37] [38] [39] [40]}

シラキュース大学大学院在学中、江紅星と林静宇は、ニュートンの重力に基づく初の解析形式論を開発し、銀河に出入りする恒星の軌道を記述し、質量歳差運動の現象を予測した。^[41]この効果は、天体物理学者によって太陽系と銀河中心の暗黒物質の豊富さを制限するために使用されてきた。^{[42] [43]}

彼は1986年にシラキュース大学でアーノルド・ホーニグの指導の下、物理学の博士号を取得しました。彼は1981年に中国の復旦大学で物理学の学士号を取得しました。彼はCUSPEAプログラムを通じて大学院研究のために米国に来ました。

彼は1995年からIII族窒化物ワイドバンドギャップ半導体の研究を行っている。現在は、テキサス工科大学（TTU）のエドワード・E・ウィテカー・ジュニア工学部でナノフォトニクスセンターの共同ディレクター、エドワード・E・ウィテカー・ジュニア寄付講座教授、電気・コンピュータ工学のホーン特別教授を務めている。ホーン教授に任命されることは、テキサス工科大学の教員が受ける最高の栄誉である。^[44] 2008年に、彼は物理学の大学特別教授を務めていたカンザス州立大学から研究グループをTTUに移した。 ^[45]

• 国際SSL（固体照明）アライアンス（ISA）よりマイクロLEDの発明により2021年「グローバルSSL優秀賞」を受賞^{[46] [47] [48]}
• 2018年、マイクロLEDの発明と開発により全米発明家アカデミーのフェローに選出^{[49] [50]}
• アメリカ科学振興協会フェロー、2016年^[51]
• 2015年国際光学・光工学協会SPIEフェロー^[52]
• アメリカ光学会フェロー、2014年^{[53] [54]}
• アメリカ物理学会フェロー、2010年^[55]