ヘンリー・ラダムソン

ヘンリー・H・ラダムソンは、半導体デバイスへの貢献と多層サーミスタ構造の発明で知られるスウェーデンのマイクロエレクトロニクス教授です。^[1]

ラダムソンは、スウェーデン（スウェーデン王立工科大学情報通信技術学部フォトニクス・マイクロ波工学教授、フォトニクス・マイクロ波工学研究所所長）とミッドスウェーデン大学電子設計学部）、中国（中国科学院マイクロエレクトロニクス研究所）^[2]、米国（テキサスインスツルメンツ、半導体研究会社）のさまざまな大学や研究センターで半導体物理学の分野で教鞭をとり、研究を行っています。^{[3] [4] [5] [6] [7] [8]}

ヘンリー・H・ラダムソンは、1989年にスウェーデンのリンショーピング大学で物理学の修士号、1996年に半導体材料の博士号を取得。1982年から1992年までネットワーク企業エリクソンに勤務。1997年にストックホルム王立工科大学に上級科学者として入職し、2001年から2016年まで准教授を務めた。 2016年に中国科学院教授に任命された。ラダムソンは2018年からミッドスウェーデン大学の客員教授も務めている。^[9]

2018年にスウェーデン品質研究所（SIQ）から国際イノベーション賞を受賞。 ^[10] KTH教授時代にハイテクスピンオフを共同設立。^[11]そこでは主にシリコン/シリコンゲルマニウムデバイスとMOSFET、HBT、熱センサーのプロセス技術に焦点を当てています。

将来のハイテク機器への応用が期待される半導体に関する彼の研究とそれに対する評価は、スウェーデンのメディアで広く取り上げられている。^{[12] [13] [14] [15] [16]}ラダムソンの画期的な研究、例えば絶縁体上の引張歪みゲルマニウムの製造などは、中国のメディアでも取り上げられている。^{[17] [18]}

200本以上の学術論文^[19]を発表し、それらは1700本以上の他の研究論文で引用されているほか、2014年にエルゼビアサイエンスから出版された『シリコンおよびその他のグループIV元素におけるモノリシックナノスケールフォトニクス-エレクトロニクス統合』[ ^20]の著者でもあり、これは後にこの分野の標準テキストとなった。また、 2018年にエルゼビアサイエンスから出版された『CMOSの過去、現在、そして未来』 ^[21]の共著者でもある。ラダムソンは、電子科学技術分野のジャーナル編集委員会および会議科学委員会^[22]のメンバーであり、その中にはJournal of Electronic Materialsも含まれる。^[23]

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• ラダムソンのKTHデータベースに関する研究