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HARMSTは高アスペクト比マイクロストラクチャテクノロジーの略語で、高さが数十マイクロメートルから1センチメートルまで、アスペクト比が10:1を超える高アスペクト比マイクロ構造[1]を作成するために使用される製造技術を表します。例としては、 LIGA製造プロセス、高度なシリコンエッチング、ディープ反応性イオンエッチングなどがあります。
参照
参考文献
- ^ Gerlach, Gerald (2008). マイクロシステム技術入門：学生向けガイド。インターネットアーカイブ。イギリス、チチェスター、ニュージャージー州ホーボーケン：J. Wiley & Sons。p. 138。ISBN 978-0-470-05861-9。