先端材料研究所

スタンフォード大学のゲバル先端材料研究所（G -LAM）は、先端材料に関する研究を支援しています。主な研究テーマには、情報記憶材料が含まれます。

G-LAMは、1999年9月1日に設立された独立研究所です。その使命は、先端材料に関する共同研究プログラムを支援し、学部生、大学院生、ポスドク研究員のための学際的な研究と教育を促進することです。

イアン・R・フィッシャー教授は2013年にG-LAMの所長に任命されました。フィッシャーはG-LAMのフィッシャー研究グループを率いています。^{[ 1 ] [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ]}

2000年に、この研究所はスタンフォード大学の物理学者セオドア・H・ゲバルにちなんで命名された。^{[ 5 ]}

• ゲバル先端材料研究所