エフサン・アフシャリ

エフサン・アフシャリ
エフサン・アフシャリ
知られている	テラヘルツ集積回路
受賞歴	イラン大統領より国家最優秀工学学生賞を授与（2000年）; 国防高等研究計画局（DARPA）若手教員賞（2008年）; 国立科学財団（NSF）早期キャリア賞（2010年）; シャリフ大学の最も優秀な卒業生50名に選出（2016年）
学歴
母校	シャリフ工科大学; カリフォルニア工科大学
学術研究
機関	ミシガン大学

エフサン・アフシャリはイラン系アメリカ人の電気技師、研究者、学者である。ミシガン大学の電気・コンピュータ工学教授である。^[1]

アフシャリ氏の研究は、イメージング、バイオセンシング、高データレート通信のための高周波回路とシステムに焦点を当てています。彼は150以上の論文を執筆しています。彼は2008年のDAPRA Young Faculty Award ^[2]と2010年のNSF Early CAREER Awardを受賞しました。^[3]

教育

アフシャリは2001年にシャリフ工科大学で電気工学の学士号を取得しました。その後アメリカに渡り、カリフォルニア工科大学で2003年に電気工学の修士号、2006年に電気工学の博士号を取得しました。^[1]

キャリア

アフシャリは博士号を取得後、コーネル大学に助教授として着任し、2012年に准教授に就任した。2016年にミシガン大学に電気・コンピュータ工学の准教授として着任し、2019年にミシガン大学の教授に就任した。^[1]

^{アフシャリは研究の成果として、Airvine [4]とLassenpeak}^[5]を共同設立した。

アフシャリは、主要大学の教員となった多くの博士課程の学生の指導教官を務めてきた。^[6]

研究と仕事

博士号を取得した後、アフシャリは研究の焦点をテラヘルツ回路とシステムに移しました。この分野の研究を始めた頃、テラヘルツシステムのほとんどは量子カスケードレーザーなどの高価でかさばるデバイスを使用していました。2010年から、アフシャリのチームは従来のトランジスタ技術を使用してテラヘルツ周波数で動作する回路ブロックとシステムの開発を開始しました。彼のグループの初期のマイルストーンの1つは、400GHz以上で動作し、100uWを超える電力を生成する最初の統合発振器の設計と製造でした。^[7]設計時点で、この発振器は従来技術と比較して3桁高い電力を生成しました。

彼のチームはテラヘルツエレクトロニクスの研究を継続的に進め、初のテラヘルツ電圧制御発振器（VCO）^[8]、初の2次元テラヘルツフェーズドアレイ^[9]、最高周波数アクティブ乗算器、200GHz以上で動作する初の完全統合型周波数変調連続波（FMCW）レーダー^[10]、および初の位相ロックテラヘルツイメージングトランシーバーチップセットを設計しました。これらはすべて、標準的なSi/SiGeテクノロジーに基づいています。^[11]これらの設計とは別に、アフシャリのチームは、低位相ノイズの無線周波数VCO、^[12]高出力で電力効率の高いミリ波発振器、非ブールパターン認識回路など、他の研究分野でも活躍しています。^[13]

受賞と栄誉

2000年 - イラン大統領より国家最優秀工学学生賞を授与される
2004年 - イラン系教授・学者協会（APSIH）工学教育優秀賞ディミトリ博士
2004年 - IEEEカスタム集積回路会議（CICC）最優秀論文賞
2008年 - コーネル大学初の多様性学部に選出
2008年 - 国防高等研究計画局（DARPA）若手教員賞^[2]
2010年 - 国立科学財団（NSF）早期キャリア賞^[3]
2016年 - IEEE固体回路学会優秀講師^[14]
2016年 - シャリフ大学の最も優秀な卒業生50名に選出
2019年 - 最優秀招待論文、IEEEカスタム集積回路会議（CICC）^[15]

主な出版物

Afshari, E., & Hajimiri, A. (2005). シリコンにおけるパルス整形のための非線形伝送線路。IEEE Journal of Solid-State Circuits, 40(3), 744–752.
Afshari, E.、Bhat, H.、Li, X.、および Hajimiri, A. (2006)。電気ファンネル: 広帯域信号結合方法。2006 IEEE 国際固体回路会議 - 技術論文ダイジェスト。
Han, R., Zhang, Y., Kim, Y., Kim, DY, Shichijo, H., Afshari, E., & Kenneth, O. (2012). 0.13μm デジタル CMOS のショットキーバリアダイオードを使用した 280 GHz および 860 GHz イメージセンサー。2012 IEEE 国際固体回路会議。
Han, R., Zhang, Y., Kim, Y., Kim, DY, Shichijo, H., Afshari, E., & O, KK (2013). CMOS ショットキーダイオードを使用したアクティブテラヘルツイメージング: アレイと 860 GHz ピクセル。IEEE Journal of Solid-State Circuits, 48(10), 2296–2308。
Han, R., & Afshari, E. (2013). 分光法のための CMOS 高出力ブロードバンド 260 GHz 放射アレイ。IEEE Journal of Solid-State Circuits、48(12)、3090–3104。
Han, R., Jiang, C., Mostajeran, A., Emadi, M., Aghasi, H., Sherry, H., ... Afshari, E. (2015). 放射電力 3.3 mW と完全統合型位相ロックループを備えた SiGe テラヘルツヘテロダインイメージングトランスミッター。IEEE Journal of Solid-State Circuits, 50(12), 2935–2947。
Li, G., Tousi, YM, Hassibi, A., & Afshari, E. (2009). 遅延線ベースのアナログ-デジタルコンバーター。IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 56(6), 464–468.
Momeni, O., & Afshari, E. (2011). 高出力テラヘルツおよびミリ波発振器の設計: 体系的なアプローチ。IEEE Journal of Solid-State Circuits, 46(3), 583–597.
Tousi, YM, Momeni, O., & Afshari, E. (2012). 結合発振器に基づく新しい CMOS 高出力テラヘルツ VCO: 理論と実装。IEEE Journal of Solid-State Circuits, 47(12), 3032–3042.
Tousi, YM, Momeni, O., & Afshari, E. (2012). 65 nm CMOS で 0.76 mW ピーク出力の 283 ～ 296 GHz VCO。2012 IEEE 国際固体回路会議。
Pourahmad, V.、Sasikanth Manipatruni Nikonov, D.、Young, I.、Afshari, E.、2017。「結合された CMOS 発振器のチェーンを判別回路として使用する非ブールパターン認識」IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits、3、pp.1-9。

参考文献

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^ Tousi, Yahya M.; Momeni, Omeed; Afshari, Ehsan (2012 年 10 月 25 日)。「結合発振器に基づく新しい CMOS 高出力テラヘルツ VCO: 理論と実装」。IEEE Journal of Solid-State Circuits。47 ( 12): 3032–3042。Bibcode :2012IJSSC..47.3032T。doi : 10.1109 /JSSC.2012.2217853。S2CID 9202765 – expert.umn.edu 経由。
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^ ジャン、C.モスタジェラン、A.ハン、R.エマディ、M.シェリー、H.キャサリン、A.アフシャリ、E. (2016 年 11 月 13 日)。「130 nm SiGe BiCMOS に完全に統合された 320 GHz コヒーレントイメージングトランシーバー」。IEEE ソリッドステート回路ジャーナル。51 (11): 2596–2609。Bibcode :2016IJSSC..51.2596J。土井：10.1109/JSSC.2016.2599533。S2CID 207032081 – IEEE Xplore 経由。
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^ “SSCS香港学生支部 - Ehsan Afshari”. 2020年11月19日時点のオリジナルよりアーカイブ。
^ 「CICC 2019 受賞者」.

[MICH-1] "Ehsan Afshari".電気工学とコンピューターサイエンス。

[DAPRA-2] 「エンジニアリング分野の新進気鋭の3人が「ハイリスク」研究でDARPA賞を受賞」Cornell Chronicle。

[NSF-3] 「NSF Award Search: Award#0954537 - CAREER: Optically Inspired Electronics」。www.nsf.gov。

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[8] Tousi, Yahya M.; Momeni, Omeed; Afshari, Ehsan (2012 年 10 月 25 日)。「結合発振器に基づく新しい CMOS 高出力テラヘルツ VCO: 理論と実装」。IEEE Journal of Solid-State Circuits。47 ( 12): 3032–3042。Bibcode :2012IJSSC..47.3032T。doi : 10.1109 /JSSC.2012.2217853。S2CID 9202765 – expert.umn.edu 経由。

[9] Tousi、Y.;アフシャリ、E. (2015 年 2 月 13 日)。「テラヘルツCMOS統合システム向けの高出力かつスケーラブルな2次元フェーズドアレイ」。IEEE ソリッドステート回路ジャーナル。50 (2): 597–609。Bibcode :2015IJSSC..50..597T。土井：10.1109/JSSC.2014.2375324。S2CID 23076607 – IEEE Xplore 経由。

[10] Mostajeran, A.; Cathelin, A.; Afshari, E. (2017 年 10 月 13 日). 「3D イメージング機能を備えた 170 GHz 完全統合型シングルチップ FMCW イメージングレーダー」. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 52 (10): 2721–2734. Bibcode :2017IJSSC..52.2721M. doi :10.1109/JSSC.2017.2725963. S2CID 35437229 – IEEE Xplore 経由.

[11] ジャン、C.モスタジェラン、A.ハン、R.エマディ、M.シェリー、H.キャサリン、A.アフシャリ、E. (2016 年 11 月 13 日)。「130 nm SiGe BiCMOS に完全に統合された 320 GHz コヒーレントイメージングトランシーバー」。IEEE ソリッドステート回路ジャーナル。51 (11): 2596–2609。Bibcode :2016IJSSC..51.2596J。土井：10.1109/JSSC.2016.2599533。S2CID 207032081 – IEEE Xplore 経由。

[12] Li, G.; Liu, L.; Tang, Y.; Afshari, E. (2012 年 6 月 13 日)。「共振モードスイッチングに基づく低位相ノイズの広帯域同調範囲発振器」。IEEE Journal of Solid-State Circuits。47 ( 6): 1295–1308。Bibcode :2012IJSSC..47.1295L。doi : 10.1109 /JSSC.2012.2190185。S2CID 9158515 – IEEE Xplore 経由。

[13] Aghasi, H.; Iraei, RM; Naeemi, A.; Afshari, E. (2016 年 5 月 13 日). 「スマート検出器セル: 低電力非ブールパターン認識のためのスケーラブルな全スピン回路」. IEEE Transactions on Nanotechnology . 15 (3): 356–366. arXiv : 1505.03065 . Bibcode :2016ITNan..15..356A. doi :10.1109/TNANO.2016.2530779. S2CID 11024483 – IEEE Xplore 経由.

[14] “SSCS香港学生支部 - Ehsan Afshari”. 2020年11月19日時点のオリジナルよりアーカイブ。

[15] 「CICC 2019 受賞者」.