ドーパント活性化

ドーパント活性化は、半導体ホスト内の不純物種から所望の電子的寄与を得るプロセスである。^[1]この用語は、多くの場合、ドーパントのイオン注入後の熱エネルギーの適用に限定される。最も一般的な産業例では、リン、ヒ素、ホウ素などのドーパントのイオン注入後にシリコンに急速熱処理が施される。 ^[2]高温（1200 °C）で生成された空孔は、注入プロセスによるアモルファス化損傷が再結晶化する間に、これらの種の格子間サイトから置換格子サイトへの移動を促進する。比較的急速なプロセスであり、不要な化学拡散を最小限に抑えるために、ピーク温度は1秒未満に維持されることが多い。^[3]

参考文献

^ Mokhberi, Ali (2003).活性化速度論の基礎となるドーパント-ドーパントおよびドーパント-欠陥プロセス。スタンフォード大学。p. 186。
^ Pelaz; Venezia (1999). 「Siに注入されたBの活性化と不活性化」. Applied Physics Letters . 75 (5): 662–664. Bibcode :1999ApPhL..75..662P. doi :10.1063/1.124474. 2012年7月1日時点のオリジナルよりアーカイブ。
^ 「新しい活性化アニールによりドーパントの残留が促進される」。2011 年 7 月 26 日時点のオリジナルよりアーカイブ。2011年 1 月 26 日閲覧。

[1] Mokhberi, Ali (2003).活性化速度論の基礎となるドーパント-ドーパントおよびドーパント-欠陥プロセス。スタンフォード大学。p. 186。

[2] Pelaz; Venezia (1999). 「Siに注入されたBの活性化と不活性化」. Applied Physics Letters . 75 (5): 662–664. Bibcode :1999ApPhL..75..662P. doi :10.1063/1.124474. 2012年7月1日時点のオリジナルよりアーカイブ。

[3] 「新しい活性化アニールによりドーパントの残留が促進される」。2011 年 7 月 26 日時点のオリジナルよりアーカイブ。2011年 1 月 26 日閲覧。