超低電圧ナノエレクトロニクス

ディープサブ電圧ナノエレクトロニクスは、処理単位あたりのエネルギー消費の理論上の限界近くで動作する集積回路 (IC) です。これらのデバイスは、従来の電子機器とは要件が大きく異なるワイヤレス センサー ネットワークなどのアプリケーションのニーズに対応することを目的としています。たとえば、マイクロプロセッサではパフォーマンスが主な関心指標ですが、一部の新しいデバイスでは、命令あたりのエネルギーがより合理的な指標になっています。

論理演算の基本的な極限の重要なケースは可逆計算です。

超小型自律デバイス（例えばスマートダストや自律型マイクロエレクトロメカニカルシステム）は、超低電圧ナノエレクトロニクスをベースにしています。^[1]

• Meindl J. 低電力マイクロエレクトロニクス：回顧と展望。Proc. IEEE 1995. V.83. NO.4. P. 619-635。
• Frank MP 可逆コンピューティングと真の断熱回路: デジタル エンジニアリングの次の大きな課題。PowerPoint スライドショー
• Meindl J.、Davis J.「テラスケール統合 (TSI) におけるバイナリ スイッチング エネルギーの基本的限界」IEEE Journal of Solid-State Circuits、2000 年、V.35、NO.10、p. 1515-1516。
• 伊藤 健. 超低電圧ナノスケールメモリ. Springer. 2007.
• シルベスター D. 超低電圧での IC 設計戦略 [1]
• Cavin RK、Zhirnov VV、Herr DJC、Avila A.、Hutchby J. ナノエレクトロニクスにおける研究の方向性と課題。ナノ粒子研究ジャーナル、2006 V.8。 P.841–858。
• Hanson S.、Zhai B.、Bernstein K.、Blaauw D.、Bryant A.、Chang L.、Das KK、Haensch W.、Nowak EJ、Sylvester DM「超低電圧、最小エネルギー CMOS」。IBM J. RES. & DEV. 2006. V. 50. NO. 4/5. P. 469-490。
• Alexander Despotuli、Alexandra Andreeva。未来の0.5ボルトナノエレクトロニクスのための大容量コンデンサ。Modern Electronics № 7、2007年、24-29ページ[2]
• Alexander Despotuli、Alexandra Andreeva。「ディープサブ電圧ナノエレクトロニクスと関連技術に関する短いレビュー」。International Journal of Nanoscience、2009年。V.8。NO.4-5。p.389-402。