ダニエル・カプラン（物理学者）

ダニエル・カプラン（1941年4月28日生まれ）はフランスの物性物理学者であり、半導体、磁気共鳴、超短パルスレーザーの電子特性を主な研究対象としている。フランス科学アカデミーの会員である。

バイオグラフィー

ダニエル・カプランは、凝縮物質物理学、磁気共鳴、超短パルスレーザー光学の分野で研究している物理学者です。エコール・ポリテクニーク（1960年卒業）を卒業後、イオネル・ソロモンが率いるエコール・ポリテクニークの凝縮物質研究所に加わりました。現在は、アンチモン化インジウムの伝導電子の磁気共鳴に関する博士論文を執筆中です。^{[1]並行して、}電子（スピン依存再結合）と核（磁気抵抗に対する核場の影響）の磁気共鳴を検出する新しい技術を研究しています。^[2]

職業経歴

ダニエル・カプランは1970年から1972年まで、米国のIBM TJワトソン研究所で働いていました。彼は磁気共鳴を利用してアモルファスシリコンの薄層の構造を研究しました。純粋なアモルファスシリコンでは、構造の応力を満たすために不満足な化学結合の数が最小限で済むことが示されました。^[3] これらの結合が切断されると常磁性サイトが生成され、これらのサイトの数が減少するのは常に水素などの追加の化学元素によるものです。水素化アモルファスシリコンは後に、フラットスクリーンや太陽光発電パネルなどの大面積電子機器の製造に使用される基本材料になります。

1972年、彼はパレゾーにあるトムソンCSF（現タレス）の中央研究所の物理学研究室に加わった。彼の主な研究活動は、二酸化バナジウムなどの酸化物の絶縁体-金属転移を理解することに焦点を当てている。^[4]光学、電気、磁気共鳴測定の組み合わせにより、この相変化におけるネットワーク歪み縮退リフトとモット転移のそれぞれの役割が明らかになった。同時に、彼はアモルファスシリコンの研究を続けている。真空劈開されたシリコン結晶表面で観察される常磁性共鳴信号は、小さなアモルファスシリコン粒子による汚染によるものであることが示された。^[5]また、純粋なアモルファスシリコン層を水素プラズマで水素化するプロセスも実証されている。^[6]さらに、シリコンにおけるスピン依存再結合のメカニズムは、カプラン、ソロモン、モットによって発表された理論論文で解明されている。^[7]

1983 年、トムソン CSF (トムソン CGR) の医療部門に科学ディレクターとして入社し、デジタル放射線学、 X 線スキャン、磁気共鳴イメージングの分野で研究開発を監督しました。

1988年、トムソンCSFの中央研究所の所長に就任。同研究所では、コンピュータサイエンス、電子・光学デバイス、民生用電子機器の新技術に関する研究を行っている。 1992年から1994年までフランス物理学会の会長を務めた。

1993年、彼はトムソンCSFグループを離れ、アロイ社を設立し、官民連携研究の独自の方法を開発しました。アロイ社は、フランスや海外の公的研究所で産業プロジェクトに従事する若い研究者を雇用しています。ダニエル・カプランはこれらの活動においてプロジェクトマネージャーの役割を果たしています。彼はこの運営方法とその重要性について会議で繰り返し発表しています。^[8]

1999年、彼はP・トゥルノワと共に超短パルスレーザー分野の機器の設計・製造を行うFastlite社を設立した。同社の主力製品は、これらのレーザーのスペクトル位相の電子プログラミングを可能にする独自の音響光学装置（Dazzler™）となる。 ^{[9]このプログラミングは、}ムルーとストリックランド（2018年ノーベル賞受賞）が発明した CPA（チャープパルス増幅）法の実装に不可欠なツールであり、超強力レーザーの性能を大きく変えた。同社はまた、パルスの時間的形態を測定する新しい方法を発明し、商品化する予定である。^[10] ダニエル・カプランは現在Fastlite社の社長を務めており、超短パルスのパラメトリック増幅の分野で活動を続けている。

区別

2013年:レジオンドヌール勲章シュヴァリエ^[11]
フランス科学アカデミー会員、2001年11月5日に選出^[12]
2000年フランス技術アカデミー会員^[13]
1984 年に情報通信技術協会からブロンデルメダルを受賞^[14]
Ordre National du Mérite の役員。

出版物

協力：A. アスペクト、R. バリアン、G. バスタード、JP ブショー、B. カバネ、F. コムズ、T. アンクレナス、S. フォーヴ、A. フェルト、M. フィンク、A. ジョルジュ、JF ジョアニー、Dル・ビアン、P.レナ、H.ル・トレウ、J・P・ポワリエ、J・プロスト、J・L・ピュジェ、ドゥマン・ラ・フィジーク、オディールジェイコブ版、2009 ( ISBN 9782738123053 )

参考文献

^ Kaplan, D. et Gueron, M.、« Résonance magnétique des porteurs chauffés par électrons photoexités dans l'antominiure d'indium »、CRAS、1965 年、vol. 260、いいえ 10、p. 2766
^ Sapoval, B., Kaplan, D., et Lampel, G., 「NMR励起による量子輸送への超微細場寄与の測定」、Solid State Communications、1971年、第9巻、第18号、p. 1591-1593
^ Thomas, PA, Brodsky, MH, Kaplan, D., et al., 「超高真空蒸着アモルファスシリコンの電子スピン共鳴：その場および外部研究」、Physical Review B、1978 年、第 18 巻、第 7 号、3059ページ
^ D'Haenens, JP, Kaplan, D., et Merenda, P.、「V1-xCrxO2 の電子スピン共鳴」、Journal of Physics C: Solid State Physics、1975 年、第 8 巻、第 14 号、p. 2267
^ Kaplan, D., Lepine, D., Petroff, Y., et al., 「シリコンの劈開表面の新しい ESR 調査」, Physical Review Letters , 1975, vol. 35, no 20, p. 1376
^ Kaplan, D., Sol, N., Velasco, G., et al., 「プラズマ処理による蒸着アモルファスシリコン膜の水素化」, Applied Physics Letters , 1978, vol. 33, no 5, p. 440-442
^ Kaplan, D., Solomon, I., et Mott, NF、「半導体における大きなスピン依存再結合効果の説明」、Journal de Physique Lettres、1978年、第39巻、第4号、p. 51-54
^ Kaplan D. Faire vraiment coopérer chercheurs et industriels.イノベーションセミナー。エコール・ド・パリ・デュ・マネージメント、1997 年 9 月 17 日
^ Kaplan, D. et Tournois, P.、「フェムト秒レーザーパルス整形用音響光学プログラマブル分散フィルタの理論と性能」、Journal de Physique IV (Proceedings)。EDP sciences、2002、p. 69-75
^ Oksenhendler, T.、Coudreau, S.、Forget, N.、Crozatier, V.、Grabielle, S.、Herzog, R.、Gobert, D.、Kaplan, D.、「自己参照スペクトル干渉法」、応用物理学 B、2010 年、第 99 巻、第 1-2 号、p. 7-12
^ “2013 年 11 月 14 日の重要な昇進と指名の決定”.レギフランス。 2013年11月14日。 2013 年 12 月 2 日にオリジナルからアーカイブされました。2017 年 8 月 14 日に取得。
^ 「アカデミー・デ・サイエンス」.
^ “技術アカデミー”.^{[永久リンク切れ‍ ]}
^ “アンドレ・ブロンデル・メダイユ栄誉リスト”.電気社会、情報、通信技術のサイト。2012 年9 月 26 日に取得。^{[永久リンク切れ‍ ]}。

[1] Kaplan, D. et Gueron, M.、« Résonance magnétique des porteurs chauffés par électrons photoexités dans l'antominiure d'indium »、CRAS、1965 年、vol. 260、いいえ 10、p. 2766

[2] Sapoval, B., Kaplan, D., et Lampel, G., 「NMR励起による量子輸送への超微細場寄与の測定」、Solid State Communications、1971年、第9巻、第18号、p. 1591-1593

[3] Thomas, PA, Brodsky, MH, Kaplan, D., et al., 「超高真空蒸着アモルファスシリコンの電子スピン共鳴：その場および外部研究」、Physical Review B、1978 年、第 18 巻、第 7 号、3059ページ

[4] D'Haenens, JP, Kaplan, D., et Merenda, P.、「V1-xCrxO2 の電子スピン共鳴」、Journal of Physics C: Solid State Physics、1975 年、第 8 巻、第 14 号、p. 2267

[5] Kaplan, D., Lepine, D., Petroff, Y., et al., 「シリコンの劈開表面の新しい ESR 調査」, Physical Review Letters , 1975, vol. 35, no 20, p. 1376

[6] Kaplan, D., Sol, N., Velasco, G., et al., 「プラズマ処理による蒸着アモルファスシリコン膜の水素化」, Applied Physics Letters , 1978, vol. 33, no 5, p. 440-442

[7] Kaplan, D., Solomon, I., et Mott, NF、「半導体における大きなスピン依存再結合効果の説明」、Journal de Physique Lettres、1978年、第39巻、第4号、p. 51-54

[8] Kaplan D. Faire vraiment coopérer chercheurs et industriels.イノベーションセミナー。エコール・ド・パリ・デュ・マネージメント、1997 年 9 月 17 日

[9] Kaplan, D. et Tournois, P.、「フェムト秒レーザーパルス整形用音響光学プログラマブル分散フィルタの理論と性能」、Journal de Physique IV (Proceedings)。EDP sciences、2002、p. 69-75

[10] Oksenhendler, T.、Coudreau, S.、Forget, N.、Crozatier, V.、Grabielle, S.、Herzog, R.、Gobert, D.、Kaplan, D.、「自己参照スペクトル干渉法」、応用物理学 B、2010 年、第 99 巻、第 1-2 号、p. 7-12

[Deco-11] “2013 年 11 月 14 日の重要な昇進と指名の決定”.レギフランス。 2013年11月14日。 2013 年 12 月 2 日にオリジナルからアーカイブされました。2017 年 8 月 14 日に取得。

[12] 「アカデミー・デ・サイエンス」.

[13] “技術アカデミー”.^{[永久リンク切れ‍ ]}

[14] “アンドレ・ブロンデル・メダイユ栄誉リスト”.電気社会、情報、通信技術のサイト。2012 年9 月 26 日に取得。^{[永久リンク切れ‍ ]}。