近接空間昇華

密閉空間昇華法は薄膜、特にテルル化カドミウム太陽電池を製造する方法であるが、三セレン化アンチモンなどの他の材料にも使用される。^[1]

これは物理蒸着法の一種で、コーティングする基板と原料物質を互いに近づけて保持します。両者は真空チャンバー内に配置され、真空引きされます。次に、原料と基板が加熱されます。原料は融点の何分の一かまで加熱され、基板はそれより低い温度、たとえばそれぞれ 640 °C と 600 °C まで加熱されます。^[2] これにより原料が昇華し、蒸気が基板まで短い距離を移動して凝縮し、薄膜が生成されます。この短距離拡散は、原理的には短距離蒸留に似ています。他の技術と比較して、これは比較的鈍感なプロセスであり、サイクル全体でわずか 15 分しかかかりません。^[3]このため、大規模製造に非常に有効な技術となっています。^[4]

参考文献

^ Birkett, Max; Linhart, Wojciech; Stoner, Jessica; Phillips, Laurie (2018年5月24日). 「光反射法による近接空間昇華成長Sb2Se3のバンドギャップ温度依存性」APL Materials . 6 (8): 084901. Bibcode :2018APLM....6h4901B. doi : 10.1063/1.5027157 .
^ Guogen Liu、Zimeng Cheng、Georgiou、George E.、Chin、Ken K. (2015 年 6 月)。「近接昇華による CdTe 薄膜の成長モデル」。2015 IEEE 第 42 回太陽光発電専門家会議 (PVSC)。IEEE。pp. 1–5。doi : 10.1109/ pvsc.2015.7355909。ISBN 978-1-4799-7944-8. S2CID 31360926。
^ Bothwell, Alexandra M.; Drayton, Jennifer A.; Jundt, Pascal M.; Sites, James R. (2020-03-06). 「短絡電流密度とフォトルミネセンスの向上を実現する、近接空間昇華堆積超薄型 CdSeTe/CdTe 太陽電池」。Journal of Visualized Experiments (157): e60937. doi :10.3791/60937. ISSN 1940-087X. OSTI 1721473. PMID 32202534. S2CID 214617834.
^ Potamialis, C.; Lisco, F. 「近接空間昇華法によるCdTe薄膜の製造」（PDF）。新しく持続可能な太陽光発電博士課程センター。再生可能エネルギーシステム技術センター（CREST）、ウルフソンスクール、ラフバラー大学。 2019年4月26日閲覧。

[Birkett-1] Birkett, Max; Linhart, Wojciech; Stoner, Jessica; Phillips, Laurie (2018年5月24日). 「光反射法による近接空間昇華成長Sb2Se3のバンドギャップ温度依存性」APL Materials . 6 (8): 084901. Bibcode :2018APLM....6h4901B. doi : 10.1063/1.5027157 .

[2] Guogen Liu、Zimeng Cheng、Georgiou、George E.、Chin、Ken K. (2015 年 6 月)。「近接昇華による CdTe 薄膜の成長モデル」。2015 IEEE 第 42 回太陽光発電専門家会議 (PVSC)。IEEE。pp. 1–5。doi : 10.1109/ pvsc.2015.7355909。ISBN 978-1-4799-7944-8. S2CID 31360926。

[3] Bothwell, Alexandra M.; Drayton, Jennifer A.; Jundt, Pascal M.; Sites, James R. (2020-03-06). 「短絡電流密度とフォトルミネセンスの向上を実現する、近接空間昇華堆積超薄型 CdSeTe/CdTe 太陽電池」。Journal of Visualized Experiments (157): e60937. doi :10.3791/60937. ISSN 1940-087X. OSTI 1721473. PMID 32202534. S2CID 214617834.

[Potamialis-4] Potamialis, C.; Lisco, F. 「近接空間昇華法によるCdTe薄膜の製造」（PDF）。新しく持続可能な太陽光発電博士課程センター。再生可能エネルギーシステム技術センター（CREST）、ウルフソンスクール、ラフバラー大学。 2019年4月26日閲覧。