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バーナード・S・マイヤーソン | |
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.png/500px-Bernard_S._Meyerson_(born_1954).png) 世界経済フォーラムのビデオ「2021年のトップ10新興テクノロジーの発表」 | |
| 生まれる | 1954年6月2日 ニューヨーク、ニューヨーク |
| 教育 | |
| 職業 | 固体物理学者 |
| 受賞歴 | JJエバーズ賞（2000年） |
バーナード・S・マイヤーソン（1954年6月2日生まれ）は、アメリカの固体物理学者。
バイオグラフィー
マイヤーソンは1954年6月2日生まれのニューヨーク市出身者です。 [1]ニューヨーク市立大学を卒業後、[2]ニューヨーク市立大学で修士号と博士号を取得し、IBMに入社しました。[1] [2]
マイヤーソンは1998年に「超高真空化学蒸着法の発明と低温シリコンエピタキシーへの応用、特に無線通信用SiGeヘテロ接合バイポーラ集積回路の製造」によりアメリカ物理学会の会員に選出された。 [3] APSは2011年に彼にジョージ・E・パケ賞を授与した。 [2]マイヤーソンは2000年にIEEE電子デバイス学会からJJ・エバーズ賞を受賞した。[4] 2002年、マイヤーソンは米国工学アカデミーの選出会員となった。[5]
参考文献
- ^ ab “B. Meyerson”. American Institute of Physics . 2022年2月22日閲覧。
- ^ abc 「2011 George E. Pake Prize Recipient」アメリカ物理学会。 2022年2月22日閲覧。
- ^ 「APS フェローアーカイブ」。アメリカ物理学会。 2022年2月22日閲覧。
- ^ 「過去のJJ Ebers賞受賞者」。電子デバイス学会、IEEE 。 2022年2月22日閲覧。
- ^ 「バーナード・S・マイヤーソン博士」。米国国立工学アカデミー。 2022年2月22日閲覧。