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BARITTダイオード(バリア注入通過時間) は、マイクロエレクトロニクスの高周波半導体部品です。関連する部品として DOVETT ダイオードがあります。BARITT ダイオードは、少数キャリアの注入特性と通過時間特性を利用して、マイクロ波周波数で負性抵抗を生成します。バイアスされた前方境界層の周囲に、少数キャリアが注入されます。代わりにアバランシェブレークダウンは発生しません。その結果、位相シフトと出力電力はどちらもIMPATT ダイオードよりも大幅に低くなります。[1]
参考文献
- ^ Sze, SM (1981).半導体デバイスの物理学。第2版。John Wiley & Sons。pp. 613–625。ISBN 0-471-05661-8。