ABM オバイドゥル・イスラム

ABM オバイドゥル・イスラムはバングラデシュの物理学者です。彼はダッカ大学物理学科の教授であり、現在同大学の副学長を務めています。^{[ 1 ]}ダッカ大学の副学長に就任する前は、バングラデシュ公開大学の副学長を務めていました。^{[ 2 ]}

オバイドゥル・イスラムはバゲルハット県モレルガンジで生まれた。^{[ 3 ]}彼は1987年にダッカ大学物理学科で学士号を、1988年に同大学で修士号を取得した。 1999年には日本の富山大学で博士号を取得した。 ^{[ 4 ]}

イスラムは1989年にダッカ大学物理学科の講師として教職生活をスタートさせた。40年近くに及ぶキャリアの中で、彼は同じ学科で教授の地位に昇進し、教育と研究の両方で積極的な役割を果たしてきた。^{[ 5 ]}

イスラム教授の主な研究分野は半導体物理学と太陽電池技術です。特に、太陽電池用途向けの半導体化合物薄膜の作製と特性評価に取り組んでいます。^{[ 5 ]}

• フリッチェ、R.ウィソツキー、E.イスラム教、ABMO。ティッセン、A.クライン、A.イェーガーマン、W.ルドルフ、R.トンティ、D.ペッテンコーファー、C. (2002 年 2 月 25 日)。「Ga-Se ハーフシート終端による Si(111) の電子不動態化」。応用物理学の手紙。80 (8): 1388 ～ 1390 年。土井: 10.1063/1.1454228。ISSN 0003-6951。 
• Islam, ABMO; Thissen, A.; Klein, A.; Jaegermann, W. (20 November 2004). "層状半導体 SnS2 の H 終端 Si(111) 表面への堆積: ファンデルワールスエピタキシーの失敗と可能性のある影響" . Surface Science . 572 (2): 476–482 . doi : 10.1016/j.susc.2004.09.030 . ISSN 0039-6028 . 
• Hossain, Mohammed Ifteker; Kamruzzaman, Md.; Obaidul Islam, ABM (2015年3月1日) 「ZnTe薄膜の電着における温度の影響」 Journal of Materials Science: Materials in Electronics . 26 (3): 1756– 1762. doi : 10.1007/s10854-014-2604-9 . ISSN 1573-482X . 
• Rashid, MH; Rabeya, J.; Doha, MH; Islam, O.; Reith, P.; Hopman, G.; Hilgenkamp, H. (2018年9月1日). 「単一ステップ電着Cu2ZnSnS4薄膜の特性評価」 . Journal of Optics . 47 (3): 256–262 . doi : 10.1007/s12596-018-0463-0 . ISSN 0974-6900 . 
• Islam, ABM O; Tambo, T; Tatsuyama, C (2000年12月1日). "GaSによるGaAs表面のパッシベーション" . Vacuum . 59 (4): 894– 899. doi : 10.1016/S0042-207X(00)00397-3 . ISSN 0042-207X . 

イスラム氏は教職の傍ら、政治にも積極的に関わっている。バングラデシュ民族主義党（BNP）中央委員会の教育担当書記を務めている。^{[ 6 ]}また、ダッカ大学のBNP支持派教員組織であるサダ・ダル（白パネル）の中央代表を長期間務めた。さらに、「バングラデシュ大学教員協会」（UTAB）の会長も務めている。^{[ 7 ] [ 8 ]}